[发明专利]用于电容器集成的TaAlC的原子层沉积(ALD)

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

多个半导体器件，所述多个半导体器件布置在衬底之中或之上；

一个或多个电介质层，所述一个或多个电介质层布置在所述多个半导体器件之上；以及

金属-绝缘体-金属(MIM)电容器，所述金属-绝缘体-金属(MIM)电容器布置在所述电介质层中的至少一个中，所述MIM电容器包括具有TaAlC共形层的电极，并且所述MIM电容器电耦合至所述半导体器件中的一个或多个。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述MIM电容器是嵌入式动态随机访问存储器(eDRAM)电容器。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，进一步包括两个电极都具有共形的TaAlC层的所述MIM电容器。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，进一步包括所述MIM电容器的顶部电极，所述顶部电极包括与所述TaAlC共形层相邻的TiN层。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，进一步包括，所述MIM电容器的底部电极，所述底部电极包括与所述TaAlC共形层相邻的Ta层。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述TaAlC包含约42％的Ta、6％的Al、和52％的C的原子组分。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述MIM电容器布置在多于一个所述电介质层中。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述MIM电容器进一步包括基本上竖直的侧壁。

9.一种半导体结构，包括：

一个或多个电介质层，所述一个或多个电介质层布置在衬底之上；以及

杯状的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器，所述杯状的金属-绝缘体-金属电容器布置在所述电介质层中的至少一个中，所述MIM电容器包括具有TaAlC共形层的顶部电极，并且所述MIM电容器电耦合至在所述衬底中的铜焊垫。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，进一步包括具有底部电极的所述MIM电容器，所述底部电极具有TaAlC共形层。

11.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，所述TaAlC包括约42％的Ta、6％的Al以及52％的C的原子组分。

12.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，所述顶部电极进一步包括TiN层。

13.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，所述MIM电容器布置在多于一个所述电介质层中。

14.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，所述MIM电容器进一步包括基本上竖直的侧壁。

15.一种半导体结构，包括：

一个或多个电介质层，所述一个或多个电介质层布置在衬底之上；以及

杯状的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器，所述杯状的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器布置在所述电介质层中的至少一个中，所述MIM电容器包括具有TaAlC共形层的底部电极，并且所述MIM电容器电耦合至在所述衬底中的铜焊垫。

16.根据权利要求15所述的半导体结构，进一步包括具有顶部电极的所述MIM电容器，所述顶部电极具有TaAlC共形层。

17.根据权利要求15所述的半导体结构，其中，所述TaAlC包括约42％的Ta、6％的Al和52％的C的原子组分。

18.根据权利要求15所述的半导体结构，其中，所述底部电极进一步包括Ta层。

19.根据权利要求15所述的半导体结构，其中，所述MIM电容器布置在多于一个所述电介质层中。

20.根据权利要求15所述的半导体结构，其中，所述MIM电容器进一步包括基本上竖直的侧壁。