[发明专利]用于工艺优化的相位调谐的技术

权利要求书

1.一种用于对光刻掩模进行相位调谐的方法，包括：

提供包括第一测试集的第一掩模布局设计；

提供包括第二测试集的第二掩模布局设计，其中所述第二测试集大于所述第一测试集；

针对一系列相位深度/厚度来模拟在所述第一测试集中的感兴趣结构的关键尺寸离焦；

基于所述模拟的结果来选择初始优选的掩模相位深度/厚度；

产生在所述初始优选的相位深度/厚度处的快速厚掩模模型(FTM)；以及

使用所述FTM校正所述第二掩模布局设计的所述第二测试集，从而提供优化的掩模布局设计。

2.如权利要求1所述的方法，还包括：

确定相位深度/厚度优化是否是足够的。

3.如权利要求2所述的方法，还包括：

响应于确定相位深度/厚度优化是足够的，提供具有最佳相位深度/厚度的掩模布局设计。

4.如权利要求2所述的方法，其中，响应于相位深度/厚度优化是不够的，该方法还包括：

识别所述优化的掩模布局设计的有问题的特征；以及

创建所识别的有问题的特征的下一小测试集以提供下一小测试集掩模布局设计。

5.如权利要求4所述的方法，还包括：

针对一系列相位深度/厚度来模拟在下一小测试集掩模布局设计中的特征的关键尺寸离焦；以及

基于模拟在所述下一小测试集掩模布局设计中的特征的关键尺寸离焦的结果来选择下一优选的掩模相位深度/厚度。

6.如权利要求5所述的方法，还包括：

基于模拟在所述下一小测试集掩模布局设计中的特征的关键尺寸离焦的结果来产生在所选择的下一优选的相位深度/厚度处的下一FTM；以及

使用所述下一FTM进一步校正所述第二掩模布局设计的所述第二测试集，从而提供进一步优化的掩模布局设计。

7.如权利要求6所述的方法，还包括重复所述确定。

8.如权利要求7所述的方法，其中，响应于相位深度/厚度优化仍然是不够的，所述方法还包括：

识别所述进一步优化的掩模布局设计的有问题的特征；

创建所识别的有问题的特征的下一小测试集以提供下一小测试集掩模布局设计；

针对一系列相位深度/厚度来模拟在所述下一小测试集掩模布局设计中的特征的关键尺寸离焦；

基于模拟在所述下一小测试集掩模布局设计中的特征的关键尺寸离焦的结果来选择下一优选的掩模相位深度/厚度；

基于模拟在所述下一小测试集掩模布局设计中的特征的关键尺寸离焦的结果来产生在所选择的下一优选的相位深度/厚度处的下一FTM；以及

使用所述下一FTM进一步校正所述第二掩模布局设计的所述第二测试集，从而提供进一步优化的掩模布局设计。

9.如前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，使用严格光刻模拟工具来执行模拟关键尺寸，并且针对焦点定心、焦深和/或相位深度/厚度偏斜的空间图像对比度中的至少一个来分析所述关键尺寸。

10.如前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述第一测试集包括少于1000个感兴趣特征，而所述第二掩模布局设计包括多于1000个感兴趣特征。

11.一种使用前述权利要求中的任一项所述的方法制成的光刻掩模。

12.一种包括权利要求11所述的掩模的光刻系统。