[其他]电连接器以及电气组件有效

专利信息
申请号: 201190000938.3 申请日: 2011-12-08
公开(公告)号: CN203722002U 公开(公告)日: 2014-07-16
发明(设计)人: 亚历山大·W·巴尔 申请(专利权)人: 3M创新有限公司
主分类号: H01R13/6585 分类号: H01R13/6585;H05K9/00;H01R13/6597;H01R13/6598
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李春晖;李德山
地址: 美国明*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 连接器 以及 电气 组件
【权利要求书】:

1.一种电连接器,包括: 

第一对导体; 

第二对导体; 

至少部分地隔离所述第一对导体与所述第二对导体的电磁干扰吸收材料;以及 

至少部分地包绕所述第一对导体和所述第二对导体中的至少一者的导电屏蔽构件,所述屏蔽构件被构造为主要通过反射来衰减电磁场, 

其中所述第一对和第二对导体中的每一对导体限定差分对或信号导体/接地导体对中的一者, 

其中所述电磁干扰吸收材料被构造为主要通过吸收来衰减因经由所述第一对和第二对导体中的一对导体传输电信号所产生的电磁场以降低所述电磁场对于所述第一对和第二对导体中的另一对导体的电磁干扰,并且 

其中由所述电磁干扰吸收材料提供的相应导体之间的电磁场的任何衰减百分比小于由隔离所述第一对导体与所述第二对导体的所述电磁干扰吸收材料提供的所述电磁场的衰减百分比。 

2.根据权利要求1所述的电连接器,其中所述屏蔽构件被构造为在经由所述第一对导体和第二对导体传输电信号的过程中降低所述第一对导体和第二对导体之间的串扰,其中所述电磁干扰吸收材料被构造为与所述屏蔽构件相结合来将所述第一对导体和第二对导体之间的串扰降低到所需水平,所述电磁干扰吸收材料与所述屏蔽构件相结合产生的降低的程度超过仅由所述屏蔽构件提供的降低。 

3.根据权利要求1所述的电连接器,其中所述屏蔽构件包括包绕所述第一对导体的第一屏蔽构件和包绕所述第二对导体的第二屏蔽构件,其中所述电磁干扰吸收材料夹置在所述第一屏蔽构件和第二屏蔽构件之间。 

4.根据权利要求1所述的电连接器,其中所述第一和第二对导体被构造为以大于1Gb/s的速率传输数据,其中所述电磁干扰吸收材料被构造为在传输所述数据的过程中将所述第一和第二对导体之间的串扰改善至少3dB。 

5.根据权利要求1所述的电连接器,还包括屏蔽材料,其中所述电磁干扰吸收材料和所述屏蔽材料形成多层结构,所述多层结构包括至少部分地隔离所述第一对导体与所述第二对导体的电磁干扰吸收材料和所述屏蔽材料的交替层。 

6.根据权利要求1所述的电连接器,其中由所述电磁干扰吸收材料提供的相应导体之间的电磁场的任何衰减小于由隔离所述第一对导体与所述第二对导体的所述电磁干扰吸收材料提供的电磁场的衰减。 

7.一种电气组件,包括: 

第一电连接器; 

与所述第一电连接器相配合的第二电连接器; 

第一对导体与第二对导体,其中所述第一对和第二对导体中的每一对导体限定差分对或信号导体/接地导体对中的一者; 

在所述第一连接器与所述第二电连接器相配合时至少部分地隔离所述第一对导体与所述第二对导体的电磁干扰吸收材料;以及 

至少部分地包绕所述第一对导体和所述第二对导体中的至少一者的导电屏蔽构件,所述屏蔽构件被构造为主要通过反射来衰减电磁场, 

其中所述电磁干扰吸收材料被构造为主要通过吸收来衰减因经由所述第一对和第二对导体中的一对导体传输电信号所产生的电磁场以降低所述电磁场对于所述第一对和第二对导体中的另一对导体的电磁干扰,并且 

其中由所述电磁干扰吸收材料提供的相应导体之间的电磁场的任何衰减百分比小于由隔离所述第一对导体与所述第二对导体的所述电磁干扰吸收材料提供的电磁场的衰减百分比。 

8.一种电连接器,包括: 

第一对导体,所述第一对导体包括至少部分地由第一接地屏蔽包绕的第一导体以限定第一信号导体/接地导体对; 

隔离所述第一导体与所述第一接地屏蔽的第一介电层; 

第二对导体,所述第二对导体包括至少部分地由第二接地屏蔽包绕的第二导体以限定第二信号导体/接地导体对; 

隔离所述第二导体与所述第二接地屏蔽的第二介电层;以及 

包绕所述第一和第二对导体的电磁干扰吸收材料。 

9.一种电连接器,包括: 

第一多个导体; 

邻近所述第一多个导体的第二多个导体; 

电磁干扰吸收材料;和 

接地屏蔽构件, 

其中所述第一多个导体和所述接地屏蔽构件形成第一多个信号导体/接地导体对并且所述第二多个导体和所述接地屏蔽构件形成第二多个信号导体/接地导体对, 

其中所述第一多个导体与所述第二多个导体由所述接地屏蔽构件和所述电磁干扰吸收材料隔离开,并且 

其中所述第一多个导体中的相应导体彼此由所述电磁干扰吸收材料隔离开。 

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