[发明专利]一种应用于MOSFETs器件的超高速Id-Vg测试方法无效
| 申请号： | 201210000912.X | 申请日： | 2012-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN102565660A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 王晨;卢红亮;孙清清;周鹏;王鹏飞;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 mosfets 器件 超高速 sub 测试 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种应用于MOSFET晶体管的超高速Id-Vg测试方法，包括对晶体管性能测试时的信号进行同步处理，以及对位移电流信号造成的误差进行修正；其特征在于：是在测试回路中用一个接近晶体管开态电阻阻值的片状电阻代替待测晶体管，测得两路脉冲信号：栅极电压脉冲信号和漏极电流经过Op电流电压放大器放大后的电压信号，从而进行信号同步的修正；并且在同一实验平台上设置电源电压为零时，测得晶体管的位移电流信号，从而进行位移电流造成的误差修正。
2.根据权利要求1所述的超高速Id-Vg测试方法，其特征在于具体步骤包括：
（1）设计一个运算(Op)电流电压放大器；
（2）用一个接近晶体管开态电阻阻值的片状电阻代替晶体管，测量栅极脉冲信号和输出脉冲信号之间的相对延时时间；
（3）电源电压设置为零，晶体管栅极维持同样的脉冲信号，测得晶体管的位移电流误差信号；
（4）在预测的电流信号上进行位移电流误差信号的修正和相对延时时间的修正；
（5）对应栅极电压和漏极电流脉冲信号，转换成Id-Vg关系曲线。
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