[发明专利]含铒、钕元素的磷锗酸盐玻璃芯片的制备方法

权利要求书

1.一种用于近红外激光输出的含铒、钕元素的磷锗酸盐玻璃芯片的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

 a、将摩尔百分比含量的五氧化二磷40～70，二氧化锗0～7.5，氧化锌4～20，氯化锌0～50，氧化铒0.5～1，氧化钕2～5混合均匀；

b、将混合物料放入加盖的石英钳锅或铂金钳锅中，并置于电炉中，在1300～1450℃的温度熔化，形成玻璃熔液；

c、将完全熔化所形成的玻璃熔液均化澄清后出炉，然后迅速浇注在预热过的模具上成型；

d、将成型的玻璃放入已升温至玻璃转变温度的马弗炉中退火；

e、待完全冷却后取出玻璃样品。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将摩尔百分比含量的五氧化二磷55，二氧化锗4，氧化锌12，氯化锌25，氧化铒0.7，氧化钕3.3混合均匀；

b、将混合物料放入加盖的石英钳锅或铂金钳锅中，并置于电炉中，在1400℃的温度熔化，形成玻璃熔液；

c、将完全熔化所形成的玻璃熔液均化澄清后出炉，然后迅速浇注在预热过的模具上成型；

d、将成型的玻璃放入已升温至玻璃转变温度的马弗炉中退火；

e、待完全冷却后取出玻璃样品。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（b）中，在混合物料的熔化过程中通入干燥氮气进行气氛保护。

4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤（c）中，熔化的玻璃熔液的出炉温度为1000～1200℃。

5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤（d）中，所述退火过程是在玻璃转变温度保温2小时，然后以2～5℃/小时的速率降温至 100℃，关闭马弗炉电源，自动降温至室温。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述玻璃转变温度为436℃～392℃。