[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括静电放电保护电路，

所述半导体装置的特征在于，具备：

RC定时器，其通过电阻元件和电容元件串联连接而构成；

PMOS晶体管，其具备与所述RC定时器的所述电阻元件和所述电容元件之间的连接部连接的栅极电极、与所述电阻元件的与连接于所述电容元件的端子不同的端子连接的源极电极、以及与所述电容元件的与连接于所述电阻元件的端子不同的端子连接的漏极电极；和

NMOS截止晶体管，其具备与所述PMOS晶体管的所述漏极电极连接的漏极电极、源极电极、以及与该源极电极连接的栅极电极。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述NMOS截止晶体管构成为多个，且各自按照第一所述NMOS截止晶体管的所述源极电极和第二NMOS截止晶体管的漏极电极相连接的状态串联连接。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述PMOS晶体管的所述源极电极与电源线连接，

成为所述NMOS截止晶体管的开路端子的所述源极电极与接地线连接。

4.一种半导体装置，包括静电放电保护电路，

所述半导体装置的特征在于，具备：

RC定时器，其通过电阻元件和电容元件串联连接而构成；

PMOS晶体管，其具备与所述RC定时器的所述电阻元件和所述电容元件之间的连接部连接的栅极电极、与所述电阻元件的与连接于所述电容元件的端子不同的端子连接的源极电极、以及与所述电容元件的与连接于所述电阻元件的端子不同的端子连接的漏极电极；和

PMOS截止晶体管，其具备与所述PMOS晶体管的所述漏极电极连接的源极电极、与该源极电极连接的栅极电极、以及漏极电极。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述PMOS截止晶体管构成为多个，且各自按照第一所述PMOS截止晶体管的所述漏极电极和第二PMOS截止晶体管的源极电极相连接的状态串联连接。

6.根据权利要求4或5所述的半导体装置，其特征在于，

所述PMOS晶体管的所述源极电极与电源线连接，

成为所述PMOS截止晶体管的开路端子的所述漏极电极与接地线连接。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述PMOS晶体管是PLDMOS晶体管。

8.一种半导体装置，包括静电放电保护电路，

所述半导体装置的特征在于，具备：

RC定时器，其通过电阻元件和电容元件串联连接而构成；

NMOS晶体管，其具备与所述RC定时器的所述电阻元件和所述电容元件之间的连接部连接的栅极电极、与所述电阻元件的与连接于所述电容元件的端子不同的端子连接的源极电极、以及与所述电容元件的与连接于所述电阻元件的端子不同的端子连接的漏极电极；和

NMOS截止晶体管，其具备与所述NMOS晶体管的所述漏极电极连接的源极电极、与该源极电极连接的栅极电极、以及漏极电极。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

所述NMOS截止晶体管构成为多个，且各自按照第一所述NMOS截止晶体管的所述漏极电极和第二NMOS截止晶体管的源极电极相连接的状态串联连接。

10.根据权利要求8或9所述的半导体装置，其特征在于，

所述NMOS晶体管的所述源极电极与接地线连接，

成为所述NMOS截止晶体管的开路端子的所述漏极电极与电源线连接。

11.一种半导体装置，包括静电放电保护电路，

所述半导体装置的特征在于，具备：

RC定时器，其通过电阻元件和电容元件串联连接而构成；

NMOS晶体管，其具备与所述RC定时器的所述电阻元件和所述电容元件之间的连接部连接的栅极电极、与所述电阻元件的与连接于所述电容元件的端子不同的端子连接的源极电极、以及与所述电容元件的与连接于所述电阻元件的端子不同的端子连接的漏极电极；和

PMOS截止晶体管，其具备与所述NMOS晶体管的所述漏极电极连接的漏极电极、源极电极、以及与该源极电极连接的栅极电极。