[发明专利]一种NLDMOS器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210005119.9 | 申请日： | 2012-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN103199109A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 段文婷;刘冬华;石晶;胡君;董金珠;韩峰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 nldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种NLDMOS器件，包括P型衬底上部并列形成有P阱和N阱，P阱和N阱上部分别形成有N+区，N阱中N+区的旁侧形成有长氧区，场氧形成于P阱、N阱和长氧区的上方，场氧上方形成有多晶硅层，隔离侧墙形成于场氧和多晶硅层的两侧；其特征是：P型衬底将所述P阱和N阱隔离。
2.如权利要求1所述的NLDMOS器件，其特征是：所述P阱和N阱间P型衬底宽度是0.5微米～2微米。
3.如权利要求2所述的NLDMOS器件，其特征是：所述场氧厚度为115埃～160埃。
4.如权利要求2所述的NLDMOS器件，其特征是：所述多晶硅层厚度为2000埃。
5.如权利要求2所述的NLDMOS器件，其特征是：所述隔离侧墙厚度为2500埃～3500埃。
6.一种NLDMOS器件的制造方法，其特征是，包括：
(1)在P型衬底上进行局部氧化形成长氧区；
(2)在P型衬底上注入形成不相邻的P阱和N阱；
(3)在P阱、N阱和长氧区的上方生长场氧；
(4)在长氧上方淀积多晶硅层；
(5)淀积二氧化硅，干法刻蚀形成隔离侧墙；
(6)在P阱和N阱中注入形成N+区，N阱中的N+区与长氧区相邻。
7.如权利要求6所述的NLDMOS器件制造方法，其特征是：实施步骤(2)时，形成P阱和N阱之间距离为0.5微米～2微米。
8.如权利要求6所述的NLDMOS器件制造方法，其特征是：实施步骤(3)时，生长场氧厚度为115埃～160埃。
9.如权利要求6所述的NLDMOS器件制造方法，其特征是：实施步骤(4)时，淀积多晶硅厚度为2000埃。
10.如权利要求6所述的NLDMOS器件制造方法，其特征是：实施步骤(5)时，淀积二氧化硅厚度为2500埃～3500埃。
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