[发明专利]ESD保护器件以及用于形成ESD保护器件的方法

权利要求书

1.一种器件，包括：

静电放电(ESD)保护器件；

信号输入端，与所述ESD保护器件电通信；以及

被保护电路，其中，所述ESD保护器件置于所述信号输入端和所述被保护电路之间，并且，所述ESD保护器件配置为降低来自所述信号输入端处的信号的ESD效应，以及其中，所述ESD保护器件包括栅控二极管，所述栅控二极管配置为多边形。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述多边形选自以下形状：

矩形；

正方形；

六边形；以及

八边形。

3.根据权利要求1所述的器件，进一步包括：钳位电路，连接到所述ESD保护器件，所述钳位电路用于钳位来自所述ESD保护器件的ESD脉冲。

4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述被保护器件包括射频(RF)器件，以及其中，所述器件进一步包括：钳位电路，所述RF器件和所述钳位电路都配置为与所述ESD保护器件并联。

5.根据权利要求4所述的器件，其中，所述RF器件包括：低噪声放大器。

6.根据权利要求1所述的器件，其中，所述信号输入端包括：射频(RF)输入端，靠近以下的至少一个：

Vss端；以及

Vdd端。

7.根据权利要求1所述的器件，进一步包括：另一ESD保护器件，配置为多边形。

8.根据权利要求1所述的器件，其中，所述栅控二极管选自以下器件：

p-阱器件；以及

n-阱器件。

9.一种器件，包括：

半导体基板；

聚合物界限掺杂区域，位于所述基板的顶部；以及

输入端，连接到所述聚合物界限掺杂区域，其中，所述聚合物界限掺杂区域和所述输入端形成聚合物界限二极管，所述聚合物界限二极管配置为使得所述聚合物界限掺杂区域形成为多边形形状。

10.一种制造器件的方法，包括：

在基板上形成多个多边形的聚合物界限掺杂区域；

形成到所述聚合物界限掺杂区域的输入/输出终端，以形成栅控二极管；以及

将所述栅控二极管置于电路中，所述电路包括被保护器件以及钳位电路，所述电路配置为使得所述栅控二极管和所述钳位电路保护所述被保护电路免受静电放电(ESD)的影响。