[发明专利]ESD保护器件以及用于形成ESD保护器件的方法

说明书

相关申请的交叉参考

本发明涉及以下共同转让的美国专利申请，将该美国专利申请的全部内容结合于此作为参考：美国专利申请No.12/986,303，申请日为01/07/2011，标题为“ESD Protection Devices and Methods For Forming ESD Protection Devices”(代理人案号No.2010-1109/24061.1687)；以及美国专利申请No.12/986,450，申请日为01/07/2011，标题为“ESD Protection Devices and Methods For Forming ESD Protection Devices”(代理人案号No.2010-1110/24061.1688)。

技术领域

本发明涉及制造电子器件的方法，更具体地来说，涉及静电放电(ESD)保护器件以及用于形成ESD保护器件的方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业经历了快速发展。IC材料和设计上的技术进步造就了数代IC，每一代IC都比上一代IC具有更小以及更复杂的电路。这些电路对于静电放电(ESD)电流比较敏感。因此，就要利用ESD保护来防止和减小由ESD电流所导致的IC损坏。传统上，一些ESD保护器件具有寄生电容，该寄生电容大到足以显著降低所保护的电路的射频(RF)性能。

因此，尽管现有的ESD保护器件通常足以达到其预期目的，但是这些ESD保护器件在每个方面并不完全令人满意。

发明内容

本发明提供了多个不同实施例。本发明的一个实施例涉及一种器件，该器件包括信号输入端，该信号输入端与静电放电(ESD)保护器件电通信，其中，该ESD器件保护器件包括栅控二极管，该栅控二极管配置为多边形。

其中，多边形选自以下形状：矩形；正方形；六边形；以及八边形。

该器件进一步包括：钳位电路，连接到ESD保护器件，钳位电路用于钳位来自ESD保护器件的ESD脉冲。

其中，被保护器件包括射频(RF)器件，以及其中，器件进一步包括：钳位电路，RF器件和钳位电路都配置为与ESD保护器件并联。

其中，RF器件包括：低噪声放大器。

其中，信号输入端包括：射频(RF)输入端，靠近以下的至少一个：Vss端；以及Vdd端。

该器件进一步包括：另一ESD保护器件，配置为多边形。

其中，栅控二极管选自以下器件：p-阱器件；以及n-阱器件。

本发明的另一实施例涉及另一种器件，该器件包括：半导体基板，聚合物界限掺杂区域，位于基板的顶部；以及输入端，连接到聚合物界限掺杂区域。聚合物界限掺杂区域和输入端形成聚合物界限二极管，该聚合物界限二极管配置为使得聚合物界限掺杂区域形成为多边形形状。

其中，多边形选自以下形状：矩形；正方形；六边形；以及八边形。

该器件进一步包括：被保护电路，连接到聚合物界限二极管，器件配置为使得聚合物界限二极管保护被保护电路免受来自输入端的静电放电(ESD)的影响。

其中，聚合物界限二极管和被保护电路在电导轨之间并联。

其中，被保护电路包括：低噪声放大器(LNA)。

该器件进一步包括：钳位电路，连接到聚合物界限二极管，钳位电路用于钳位来自聚合物界限二极管的ESD脉冲。

该器件进一步包括：另一聚合物界限二极管，形状为多边形，置于被保护电路和输入端之间。

其中，输入端包括：射频(RF)输入端，靠近以下的至少一个：Vss端；以及Vdd端。

其中，聚合物界限二极管选自以下器件：p-阱器件；以及n-阱器件。

本发明的又一实施例涉及一种制造器件的方法。该方法包括：在基板上形成多个多边形的聚合物界限掺杂区域；以及在聚合物界限掺杂区域上形成输入/输出终端，从而形成栅控二极管。

在另一实施例中，一种器件包括：静电放电(ESD)保护器件，信号输入端，与ESD保护器件电通信，以及被保护电路。ESD保护器件置于信号输入端和被保护电路之间，并且该ESD器件配置为降低来自信号输入端处的信号的ESD效应。另外，ESD保护器件还包括栅控二极管，该栅控二极管配置为多边形。