[发明专利]制作TSV时采用的二次湿法腐蚀支撑晶圆分离的工艺

权利要求书

1.一种制作穿硅通孔时采用的二次湿法腐蚀使支撑晶圆分离的工艺方法，其特点在于，首先将裸支撑晶圆进行第一次KOH湿法腐蚀到厚度为150-200μm后，通过在已刻蚀TSV的晶圆的背面和已经过KOH腐蚀的裸支撑晶圆的一面分别先后溅射TiW和Au层，然后将两片晶圆的Au面进行Au-Au键合；再在TSV晶圆的正面进行TSV电镀填充，键合介质Au同时作为TSV电镀时的种子层，待TSV晶圆完成TSV电镀填充后，对裸支撑晶圆进行第二次KOH湿法腐蚀去除，最后放入Au腐蚀液去掉键合介质，获得完整的TSV晶圆。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于具体步骤是：

(1)将裸支撑晶圆放入KOH溶液中进行第一次KOH湿法腐蚀工艺，晶圆的两面同时腐蚀，厚度减薄至150-200μm；

(2)在已刻蚀TSV的晶圆的背面和已经过KOH腐蚀的裸支撑晶圆的一面分别先后溅射TiW和Au层，Au-Au面对准置于键合机中升温加压进行Au-Au键合；键合温度为250-300℃；

(3)裸支撑晶圆与TSV晶圆键合后，在TSV晶圆的正面经过TSV电镀填充和CMP工艺，最后进行制作各种金属布线和焊盘的后续工艺；

(4)将键合晶圆进行第二次KOH湿法腐蚀，裸支撑晶圆被湿法腐蚀直至去除，露出键合介质；

(5)将键合晶圆放入Au腐蚀液去掉TiW/Au层，获得完整的TSV晶圆。

3.按权利要求2所述的方法，其特征在于所述的第一次KOH湿法腐蚀将裸支撑晶圆的厚度从初始厚度400-700μm腐蚀减薄至150-200μm。

4.按权利要求2所述的方法，其特征在于在已刻蚀出TSV的TSV晶圆的背面和裸支撑晶圆的一面上分别先后溅射一层TiW和Au层，厚度分别为40-60nm和150-250nm。

5.按权利要求2所述的方法，其特征在于从室温升温至250-300℃的时间为10-20min,峰值加压保温的时间为1.5-2h，键合压力2500-3000mbar，峰值加压保温后缓慢冷却至室温。

6.按权利要求2所述的方法，其特征在于TSV的通孔为圆形，孔径介于15-80μm之间。