[发明专利]半导体放电器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

阱区段，包括布置在衬底中的多个晶体管；以及

包括第一晶体管的第一放电器件，所述第一晶体管具有第一源极/漏极区段、第二源极/漏极区段以及第一栅极区段，其中第一源极/漏极区段耦合到阱区段，其中第二源极/漏极区段耦合到低电压节点，其中第一栅极区段耦合到第一天线。

2.权利要求1的半导体结构，其中第一晶体管是n沟道金属绝缘体半导体晶体管，其中第一天线包括布置在第一栅极区段之上的金属化层内的通孔和金属线，并且其中在每一个金属化层中，通孔的表面积相对于金属线的表面积被最大化。

3.权利要求1的半导体结构，其中第一晶体管被布置在第三阱区段内，所述第三阱区段被布置在第二阱区段内，所述第二阱区段被布置在第一阱区段内。

4.权利要求3的半导体结构，其中第一天线经由金属化层的最后金属水平耦合到接地电势节点并且被配置成关断第一晶体管。

5.权利要求1的半导体结构，其中第一晶体管是p沟道金属绝缘体半导体晶体管，其中第一天线包括布置在第一栅极区段之上的金属化层内的通孔和金属线，并且其中在每一个金属化层中金属线的表面积大于通孔的表面积，其中通孔的面积被配置成针对给定的设计规则最小化。

6.权利要求1的半导体结构，其中第一源极/漏极区段耦合到与阱区段具有相同掺杂的阱接触部。

7.权利要求1的半导体结构，其中所述低电压节点是接地电势节点。

8.权利要求1的半导体结构，还包括第二晶体管，所述第二晶体管具有第三源极/漏极区段、第四源极/漏极区段和第二栅极区段，其中第三源极/漏极区段耦合到阱区段，其中第四源极/漏极区段耦合到低电压节点，其中第二栅极区段耦合到第二天线。

9.权利要求8的半导体结构，其中第一晶体管是p沟道金属绝缘体半导体晶体管，并且其中第二晶体管是n沟道金属绝缘体半导体晶体管。

10.权利要求1的半导体结构，其中第一放电器件通过衬底的低掺杂或本征区段与阱区段隔离。

11.权利要求1的半导体结构，其中第一放电器件通过深沟槽与阱区段隔离。

12.权利要求1的半导体结构，其中所述衬底是大块硅衬底。

13.一种制造半导体结构的方法，所述方法包括：

在衬底的第一区段中形成包括多个晶体管的第一阱区段；

在衬底的第二区段中形成第二阱区段；

在衬底中形成第一放电器件，所述第一放电器件耦合在第一阱区段与第二阱区段之间；以及

在制造所述半导体结构的后续步骤期间，通过第一放电器件将来自第一阱区段的电荷转移到第二阱区段。

14.权利要求13的方法，其中第一放电器件包括第一晶体管，所述第一晶体管具有第一源极/漏极区段、第二源极/漏极区段以及第一栅极区段，其中第一源极/漏极区段耦合到第一阱区段，其中第二源极/漏极区段耦合到第二阱区段，其中第一栅极区段耦合到第一天线。

15.权利要求14的方法，其中第二阱区段包括第二晶体管，所述第二晶体管具有耦合到第一阱区段中的多个晶体管的栅极电极。

16.权利要求14的方法，其中第一放电器件是n沟道晶体管。

17.权利要求16的方法，其中第一天线包括布置在第一栅极区段之上的金属化层内的通孔和金属线，并且其中在每一个金属化层中，通孔的表面积相对于金属线的表面积被最大化。

18.权利要求14的方法，其中第一放电器件是p沟道晶体管。

19.权利要求18的方法，其中第一天线包括布置在第一栅极区段之上的金属化层内的通孔和金属线，并且其中在每一个金属化层中，金属线的表面积大于通孔的表面积，并且其中所述通孔被配置成针对给定的设计规则最小化通孔的表面积。

20.权利要求13的方法，其中第一阱区段和第二阱区段通过深沟槽区段分离。

21.权利要求13的方法，其中第一阱区段和第二阱区段通过隔离区段分离。

22.权利要求13的方法，其中第一阱区段和第二阱区段通过衬底的低掺杂或本征区段分离。