[发明专利]靶及具备该靶的成膜装置无效
申请号: | 201210008545.8 | 申请日: | 2012-01-12 |
公开(公告)号: | CN102586745A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 岩田宽;金子博 | 申请(专利权)人: | 住友重机械工业株式会社 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/06;B22F3/10 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 周欣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具备 装置 | ||
1.一种靶,其通过夹具而被固定于保持部件上,其特征在于,
该靶为包含金属粉体和熔点高于所述金属熔点的金属氧化物粉体的混合物在由下述公式表示的烧结温度T下烧结而成的低氧化物烧结体,
t0<T<t1,
其中,在上述公式中,t0为所述金属的熔点,t1为所述金属氧化物的熔点或升华点。
2.如权利要求1所述的靶,其特征在于,
所述金属为Zn、Sn、Pb、Bi、In、Al及Ga中的任一种。
3.如权利要求1或2所述的靶,其特征在于,
所述烧结体的与接触于所述保持部件的接触面平行的面内方向上的外侧端部与中央部相比,所述金属相对于所述金属氧化物的成分比例较高。
4.如权利要求1~3中任一项所述的靶,其特征在于,
所述烧结体的体积电阻率为0.05Ω·m以下。
5.如权利要求1~4中任一项所述的靶,其特征在于,
所述烧结体的烧结相对密度为90%以上。
6.如权利要求1~5中任一项所述的靶,其特征在于,
构成所述金属氧化物的金属元素为Zn。
7.一种成膜装置,其特征在于,其通过将靶中所含的成膜材料附着于基板上来进行成膜,具备:
真空容器、
在所述真空容器内保持权利要求1~6中任一项所述的靶的保持部件、固定所述靶和所述保持部件的夹具。
8.如权利要求7项所述的成膜装置,其特征在于,
所述保持部件与所述靶之间配置有与所述保持部件及所述靶的相互对置的面接触的热传导性薄膜部件。
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