[发明专利]蚀刻装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种蚀刻装置，尤指一种蚀刻装置。

背景技术

蚀刻为一种通过化学反应或物理撞击的方式对于材料进行移除的 技术，现有蚀刻技术大致可分为湿蚀刻(wetetching)及干蚀刻(dry etching)两类，其中湿蚀刻是通过化学溶液进行化学反应而达到蚀刻的 效果，而干蚀刻则是通过一种等离子体蚀刻(plasmaetching)，等离子体 蚀刻可能是等离子体中离子撞击晶片表面的物理作用或者可能是等离 子体中活性自由基与晶片表面原子间的化学反应，也可能是两者的复 合作用，随着科技的发展，蚀刻技术已广泛地应用于航空、机械、化 学及半导体制造过程上；

目前业界所使用的蚀刻机台80的配置如图8所示，其主要于中心 处设置一机器手臂81，于该机器手臂81的周围依序环形间隔设置有数 个传送室82、一定位室83、数个反应室84及一清洁室85，通过该机 器手臂81将晶圆90于各室间进行移动、定位及蚀刻加工；

然而，现有蚀刻机台80虽可通过机器手臂81进行移动、定位及 蚀刻加工，但机器手臂81于各室间进行移动需花费不少的时间，且机 器手臂81经长时间的使用后，容易因磨耗或磨损而影响其操作的准确 性，使晶圆90可能于移动的过程中发生掉落而毁损的情形，有加以改 进之处。

发明内容

为了改善上述现有蚀刻机台通过机器手臂进行移动、定位及蚀刻 加工的缺失及不足，本发明的主要目的在于提供一种蚀刻装置，其可 使晶圆在不需设置机器手臂的情况下进行移动及加工，从而提供一节 省成本、缩短制造过程时间及提高产能的蚀刻装置。

基于上述目的，本发明的蚀刻装置包含有一蚀刻组件、一输送组 件及一载具组件，其中：

该蚀刻组件设有一蚀刻腔体、一上盖板及一升降装置，该上盖板 可翻转地设于该蚀刻腔体顶面且设有一电极导入装置、两气孔板及一 遮板，该电极导入装置固设于该上盖板顶面且朝内设有一电极，两气 孔板间隔地设于该上盖板底面，该遮板间隔地设于该上盖板底面且贯 穿设有与该两气孔板相对应的穿孔，于两穿孔间贯穿一供该电极伸入 该遮板的开孔，该升降装置固设于该蚀刻腔体底面且朝上设有一伸入 该蚀刻腔体的升降杆；

该输送组件设于该蚀刻组件内且于该蚀刻腔体内间隔设置有多个 具有滚轮的转动轴；以及

该载具组件于该输送组件上而可移动地设于该蚀刻腔体内并设有 数个载盘，各载盘与该输送组件的滚轮相贴靠且于顶面设有一极板， 该极板贯穿设有两间隔设置并分别与该遮板两穿孔相对应的承载孔。

进一步，该蚀刻装置另设有一进料组件、一出料组件及一阀门组 件，其中该进料组件设有一前、后端呈开口状且与该蚀刻腔体前端相 结合的进料腔体，该出料组件设有一与该蚀刻腔体异于该进料腔体一 端相结合的出料腔体，而该阀门组件设于该进料组件、该蚀刻组件及 该出料组件之间且设有数个阀门装置，各阀门装置分别该设于各腔体 之间，该输送组件于该进料组件及该出料组件的各腔体内间隔设置有 多个具有滚轮的转动轴，该载具组件设于该输送组件上而可移动地设 于各腔体之间。

优选地，该进料腔体于内部两侧各设有一第一导轨，该蚀刻腔体 于内部两侧各设有一与该进料腔体第一导轨直线相对的第二导轨，该 升降装置的升降杆伸设于该蚀刻腔体内且介于两第二导轨间，而该出 料腔体于内部两侧各设有一与该进料腔体第一导轨及该蚀刻腔体第二 导轨直线相对的第三导轨，该输送组件的各滚动轴设于各腔体的两导 轨内侧。

优选地，该上盖板于该遮板周围的底面设有多个定位杆，各定位 杆在异于该上盖板的底端设有一套设盖，而该载具组件的各载盘于该 极板周围的顶面设有数个定位凸粒，当该载盘移动至该蚀刻腔体内时， 各定位凸粒与该蚀刻组件各定位杆的套设盖直线相对。

优选地，该上盖板于两相对侧边分别设有一与该蚀刻腔体顶面相 固设结合的翻转压缸轴，使该上盖板可相对该蚀刻腔体翻转，且该上 盖板于顶面固设有一与该电极导入装置相连接的输出功率单元。

优选地，该两气孔板分别于该上盖板顶面设有一用以输送气体的 输送管，使气体可经由输送管及气孔板而进入该蚀刻腔体内。

优选地，该遮板设有数个与该上盖板相固设结合的固定杆，使该 遮板间隔地设于该上盖板的底面。

优选地，该蚀刻组件另设有一与该蚀刻腔体相结合的高真空泵浦， 使该蚀刻腔体内部维持于一高真空的状态。