[发明专利]一种提取互连线方块电阻的方法和装置有效
申请号: | 201210009449.5 | 申请日: | 2012-01-12 |
公开(公告)号: | CN102522354A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 马天宇;陈岚;杨飞 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明;李玉秋 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提取 互连 方块 电阻 方法 装置 | ||
1.一种提取互连线方块电阻的方法,其特征在于,包括步骤:
设计并制造测试版图,所述测试版图包括若干个区域,所述若干个区域中每个区域的互连线线宽和/或线间距不同;
测量所述测试版图每个区域的表面形貌信息和电阻;
根据所述表面形貌信息提取所述测试版图每个区域的等效厚度;
根据所述电阻值和等效厚度提取所述测试版图每个区域的等效电阻率;
提取待提取版图不同区域的互连线厚度,所述待提取版图与测试版图采用相同工艺制造,所述待提取版图不同区域的互连线线宽和/或线间距不同;
根据所述待提取版图不同区域的互连线厚度与测试版图相应区域的等效电阻率提取所述待提取版图不同区域的互连线方块电阻。
2.根据权利要求1所述的提取互连线方块电阻的方法,其特征在于,测量所述测试版图每个区域的表面形貌信息为测量所述每个区域中互连线的金属碟形量、介质侵蚀量和金属厚度。
3.根据权利要求2所述的提取互连线方块电阻的方法,其特征在于,根据所述表面形貌信息提取所述测试版图每个区域的等效厚度具体为:
测试版图每个区域的互连线沉积厚度减去所述金属碟形量和介质侵蚀量。
4.根据权利要求3所述的提取互连线方块电阻的方法,其特征在于,根据所述电阻值和等效厚度提取所述测试版图每个区域的等效电阻率具体为:
测试版图每个区域的电阻乘以等效厚度除以每个区域的长宽比。
5.根据权利要求1所述的提取互连线方块电阻的方法,其特征在于,根据所述待提取版图不同区域的互连线厚度与测试版图相应区域的等效电阻率提取所述待提取版图不同区域的互连线方块电阻具体为:
确定与所述待提取版图不同区域的互连线线宽和线间距相等或相近的测试版图上的区域;
所述互连线线宽和线间距相等或相近的测试版图上的区域的等效电阻率除以所述待提取版图不同区域的互连线厚度。
6.根据权利要求1或2所述的提取互连线方块电阻的方法,其特征在于,采用原子力显微镜或扫描电子显微镜测量所述测试版图每个区域的表面形貌信息。
7.根据权利要求1或2所述的提取互连线方块电阻的方法,其特征在于,采用四点法测量所述测试版图每个区域的电阻信息。
8.一种提取互连线方块电阻的装置,其特征在于,包括:
版图提供模块,所述版图提供单元包括测试版图提供单元和待提取版图提供单元;所述测试版图提供单元提供包括若干个区域的版图,所述若干个区域的互连线线线宽和/或线间距不同;
测量模块,所述测量模块包括形貌测量单元和电阻测量单元,用于对测试版图提供单元提供的测试版图中的若干个区域进行形貌测量和电阻测量;
参数提取模块,所述参数提取模块包括等效厚度提取单元、等效电阻率提取单元和互连线厚度提取单元,其中,所述等效厚度提取单元用于根据所述形貌测量单元提供的表面形貌测量结果提取测试版图中每个区域的等效厚度;所述等效电阻率提取单元用于根据所述电阻测量单元的测量结果和等效厚度提取单元提取的等效厚度提取测试版图中每个区域的等效电阻率;所述互连线厚度提取单元用于提取待提取版图中不同区域的互连线厚度;
方块电阻提取模块,所述方块电阻提取模块用于根据所述等效电阻率提取单元提取的测试版图中每个区域的等效电阻率和互连线厚度提取单元提取的待提取版图中不同区域的厚度提取待提取版图中不同区域的方块电阻。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造