[发明专利]包括穿过衬底的传导结构的集成电路及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

衬底，具有第一表面和第二表面；以及

至少一个传导结构，连续地延伸穿过所述衬底，其中，所述至少一个传导结构的至少一个侧壁通过气隙与所述衬底的侧壁隔开。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述气隙具有与所述第一表面相邻的第一空间和与所述第二表面相邻的第二空间，并且所述第一空间大于所述第二空间；或者

所述气隙环绕所述至少一个传导结构；或者

所述至少一个传导结构包括至少一个硅通孔(TSV)结构；或者

所述至少一个传导结构具有与所述第一表面相邻的第一宽度和与所述第二表面相邻的第二宽度，并且所述第二宽度大于所述第一宽度。

3.根据权利要求1所述的集成电路，还包括：

至少一个介电层，设置在所述至少一个传导结构周围；或者

蚀刻停止层，设置在所述衬底的所述第一表面的上方，其中，所述至少一个传导结构的表面不与所述蚀刻停止层的表面平齐。

4.一种集成电路，包括：

衬底，具有第一表面和第二表面；以及

至少一个传导结构，连续地延伸穿过所述衬底，其中，所述至少一个传导结构的至少一个侧壁通过气隙与所述衬底的侧壁隔开，所述气隙环绕所述至少一个传导结构，所述气隙具有与所述第一表面相邻的第一空间和与所述第二表面相邻的第二空间，并且所述第一空间大于所述第二空间。

5.根据权利要求4所述的集成电路，还包括：

至少一个介电层，设置在所述至少一个传导结构周围；或者

蚀刻停止层，设置在所述衬底的所述第一表面的上方，其中，所述至少一个传导结构的表面不与所述蚀刻停止层的表面平齐。

6.根据权利要求4所述的集成电路，其中，所述至少一个传导结构包括至少一个硅通孔(TSV)结构；或者

所述至少一个传导结构具有与所述第一表面相邻的第一宽度和与所述第二表面相邻的第二宽度，并且所述第二宽度大于所述第一宽度。

7.一种形成集成电路的方法，所述方法包括：

提供衬底；以及

形成从所述衬底的第一表面连续地延伸到第二表面的至少一个传导结构，其中，所述至少一个传导结构的至少一个侧壁通过气隙与所述衬底的侧壁隔开。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述至少一个传导结构包括：

形成穿过所述衬底的所述第一表面的至少一个开口；

在通过所述至少一个开口露出的所述衬底的侧壁上形成牺牲层；

在所述至少一个开口中形成至少一个传导结构；

基本上去除所述牺牲层以在所述衬底的侧壁与所述至少一个传导结构的至少一个侧壁之间形成气隙；以及

去除所述衬底的一部分，以露出所述至少一个传导结构的一部分。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述牺牲层非共形地形成在通过所述至少一个开口露出的所述衬底的侧壁上，所述牺牲层具有与所述衬底的所述第一表面相邻的第一宽度和与所述至少一个开口的底部相邻的第二宽度，并且所述第一宽度大于所述第二宽度；或者

所述牺牲层连续地从所述至少一个开口的侧壁延伸到底部，并且所述方法还包括：基本上去除处于所述至少一个开口的底部的所述牺牲层；或者

所述至少一个传导结构具有与所述衬底的所述第一表面相邻的第一宽度和与所述衬底的所述第二表面相邻的第二宽度，并且所述第二宽度大于所述第一宽度。

10.根据权利要求8所述的方法，还包括：

在所述牺牲层与所述至少一个传导结构之间形成至少一个介电层；或者

在所述衬底的所述第一表面上方形成蚀刻停止层，其中，所述至少一个传导层的表面不与所述蚀刻停止层的表面平齐。