[发明专利]微弧氧化涂层硅烷化处理液及封孔方法

说明书

技术领域

本发明涉及的是一种阀金属表面原位生成陶瓷涂层的表面处理技术。具体地说是一种微弧氧化涂层的封孔的硅烷化处理液。本发明也涉及一种通过硅烷化处理液进行封孔的方法。

背景技术

微弧氧化是一种在阀金属表面原位生成陶瓷涂层的表面处理技术。这种陶瓷涂层通常由基底材料本身的氧化物组成，能够为基底材料提供保护。该技术适用于铝、镁、钛等金属及其合金的表面防护处理。微弧氧化具有对预处理要求低、工艺简单、不污染环境及涂层性能优异的优点，可以显著改善材料的耐蚀性，还能够大幅度地提高表面的硬度、耐磨性、电绝缘性等性能。

微弧氧化技术是由常规的阳极氧化技术发展而来的，是对阳极氧化技术的一大改进。该技术通过微弧放电形成局部高温高压环境，在电解质溶液参与的情况下在阀金属表面原位形成陶瓷涂层。该技术实施过程中击穿放电-局部熔化-凝固的过程反复进行，从而实现涂层的逐渐增厚。受此生长特性决定，微弧氧化涂层表面存在大量微米尺度的放电残留微孔。这些微孔为腐蚀介质穿透涂层、渗入到涂层/基体界面提供了通道，是诱发基体材料腐蚀的潜在缺陷。大量研究已经证实，放电残留微孔的存在严重影响了微弧氧化涂层的耐腐蚀性能。

为了消除放电微孔的不良影响、提高微弧氧化涂层的耐蚀性能，可对微弧氧化处理后的构件进行封孔处理。公开号为CN101709497A的专利文件中曾公开了一种镁合金微弧氧化涂层的封孔方法，该方法使用一种以植酸盐或植酸为主要物质的溶液，将溶液温度控制在30-100℃范围内进行封孔处理。经该方法封孔处理后涂层中的微孔尺寸减小，但该工艺仅限于对镁合金微弧氧化涂层的封孔处理，适用范围有限。

目前关于微弧氧化涂层封孔处理的公开报道数量非常有限，且涵盖范围很小，不能满足实际构件的应用需求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种适用广泛的微弧氧化涂层硅烷化处理液。本发明的目的还在于提供一种应用微弧氧化涂层硅烷化处理液的封孔方法。

本发明的目的是这样实现的：

本发明的微弧氧化涂层硅烷化处理液是由去离子水、醇、硅烷偶联剂，按照体积比为3-9∶1∶1的比例混合，调pH值而成的硅烷偶联剂水解溶液。

所述硅烷偶联剂为氨基硅烷偶联剂、环氧基硅烷偶联剂、甲基丙烯含氧基硅烷偶联剂、乙烯基硅烷偶联剂或者巯基硅烷偶联剂中的一种或几种的混合物。

所述醇是甲醇，所述硅烷偶联剂为环氧基硅烷偶联剂。

所述醇是乙醇，所述硅烷偶联剂为氨基硅烷偶联剂。

所述环氧基硅烷偶联剂为γ-(2，3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷。

所述氨基硅烷偶联剂为γ-氨丙基三乙氧基硅烷。

用本发明的微弧氧化涂层硅烷化处理液的封孔方法为：

(1)按照体积比为3-6∶1∶1的比例将去离子水、醇、硅烷偶联剂混合，调pH值，制成微弧氧化涂层硅烷化处理液；

(2)对微弧氧化涂层硅烷化处理液进行12h以上的水解处理得到硅烷偶联剂水解溶液；

(3)将微弧氧化涂层在上硅烷偶联剂水解溶液中浸渍10s-20min，取出风干得到吸附水解溶液的涂层；

(4)将吸附水解溶液的涂层在50-300℃温度下加热固化15-300min。

本发明为了解决微弧氧化涂层因其多微孔特性使其耐腐蚀性能受限制的问题，提出了一种对微弧氧化涂层进行硅烷化处理而达到封孔目的的方法。该封孔工艺通过浸渍-固化的方法对微弧氧化涂层进行硅烷化处理，工艺简单、成本低廉，适用于镁合金、铝合金以及钛合金微弧氧化涂层的封孔处理。

本发明的关键要点如下：

1.本发明微弧氧化涂层硅烷化处理封孔方法，所述硅烷偶联剂为氨基硅烷偶联剂、环氧基硅烷偶联剂、甲基丙烯含氧基硅烷偶联剂、乙烯基硅烷偶联剂或者巯基硅烷偶联剂中的一种或几种，浓度为3-35％。

2.本发明微弧氧化涂层硅烷化处理封孔方法，所述水解溶剂为水与甲醇或乙醇的混合体系，水与甲醇或乙醇的体积比为3∶1-9∶1。

3.本发明微弧氧化涂层硅烷化处理封孔方法，所述在水解溶液中的浸渍时间为10s-20min。

4.本发明微弧氧化涂层硅烷化处理封孔方法，所述固化温度为50～300℃，固化时间为15-300min。

5.本发明微弧氧化涂层硅烷化处理封孔方法，适用于镁合金、铝合金以及钛合金微弧氧化涂层的封孔处理。