[发明专利]分布式金属布线

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

有源区域，位于基板中；

第一金属层，与所述基板相接触，所述第一金属层包括至少一条第一导线；以及

第二金属层，位于所述第一金属层上方，所述第二金属层具有第一并联线的分布式布局，其中，所述第一并联线中的至少两条单独的线与所述第一导线相接触。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：第三金属层，位于所述第二金属层上方，并且与所述第二金属层相接触，所述第三金属层包括第二多条并联线，其中，所述第二多条并联线中的至少一条与所述第一并联线中的两条单独的线相接触。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第三金属层中的所述第二多条并联线中的每一条的宽度都相同。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一并联线包括至少一条第一并联线、一条第二并联线、和一条第三并联线，所述一条第三并联线位于所述一条第一并联线和所述一条第二并联线之间，其中，所述一条第三并连线所连接到的源与所述一条第一并联线或者所述一条第二并联线所连接到的源不同。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述一条第一并联线和所述一条第二并联线是Vss线，所述一条第三并联线是信号线。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一并联线进一步包括：一条第四并联线，所述一条第四并联线与所述一条第二并联线分别位于所述一条第三并联线的两侧，所述一条第四并联线所连接到的源与所述一条第一并联线、所述一条第二并联线、和所述一条第三并联线所连接到的源不同。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一并联线的分布式布局的间距相同。

8.一种半导体器件，包括：

基板的有源区域；

第一金属层，位于所述有源区域上方，并且与所述有源区域相接触；以及

第二金属层，位于所述第一金属层上方，所述第二金属层包括：第一导线，连接至第一源；第二导线，连接至与所述第一源不同的第二源；以及第三导线，连接到所述第一源，其中，所述第一导线、所述第二导线以及所述第三导线并联连接，并且其中，所述第二导线位于所述第一导线和所述第三导线之间。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一导线和所述第三导线都电连接到所述有源区域的第一区域。

10.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在基板的有源区域上形成第一金属层，所述第一金属层与所述基板的有源区域相接触，所述第一金属层包括连续的第一导电区域；

形成第一接触插头和第二接触插头，与所述第一导电区域相接触；以及

在所述第一接触插头和所述第二接触插头上方形成第二金属层，所述第二金属层包括：第一组并联线，连接到第一源；以及第二组并联线，连接到第二源，其中，所述第一组并联线和所述第二组并联线相互交错，并且其中，所述第一组并联线中的第一并联线连接到所述第一接触插头，所述第一组并联线中的第二并联线连接到所述第二接触插头。