[发明专利]一种氮化物半导体激光器无效
| 申请号： | 201210012561.4 | 申请日： | 2012-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN102570308A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 冯美鑫;张书明;刘建平;李增成;杨辉 | 申请（专利权）人： | 苏州纳睿光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/20 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋;陆金星 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 半导体激光器 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化物半导体激光器，其特征在于，从下至上依次包括GaN衬底(1)，n-GaN层(2)，n-AlGaN/GaN超晶格限制层(3)，下InxGa1-xN渐变波导层(4b)，InGaN/GaN多量子阱有源区(5)，上InyGa1-yN渐变波导层(6b)，p-AlGaN电子阻挡层(7)，p-AlGaN/GaN超晶格限制层(8)，p-GaN接触层(9)；
所述下InxGa1-xN渐变波导层(4b)中，从下至上In组分含量逐渐增加；
所述上InyGa1-yN渐变波导层(6b)中，从下至上In组分含量逐渐减少。
2.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光器，其特征在于：从下至上，所述下InxGa1-xN渐变波导层(4b)为一层In组分含量渐增的InGaN波导层；或者，所述下InxGa1-xN渐变波导层(4b)包括至少3层InGaN波导层，且从下至上各层的In组分含量逐渐增加。
3.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光器，其特征在于：从下至上，所述上InyGa1-yN渐变波导层(6b)为一层In组分含量渐减的InGaN波导层；或者，所述上InyGa1-yN渐变波导层(6b)包括至少3层InGaN波导层，且从下至上各层的In组分含量逐渐减少。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州纳睿光电有限公司，未经苏州纳睿光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210012561.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
