[发明专利]较小等离子损伤的高密度等离子体沉积方法

权利要求书

1.一种较小等离子损伤的高密度等离子体沉积方法，其特征在于，步骤包括：

步骤1，提供含有NMOS和/或PMOS的衬底，在所述衬底上沉积蚀刻阻挡层；

步骤2，在所述蚀刻阻挡层上沉积HDP保护层；其中，所述HDP保护层材质为富硅二氧化硅

步骤3，在所述HDP保护层上沉积HDP主体层作为前金属介电层；

步骤4，对前金属介电层进行化学机械研磨至设计要求厚度。

2.根据权利要求1所述的较小等离子损伤的高密度等离子体沉积方法，其特征在于，沉积温度均优选为≤500℃。

3.根据权利要求1所述的较小等离子损伤的高密度等离子体沉积方法，其特征在于，所述HDP保护层沉积反应时硅氧流量比优选为≥0.8。

4.根据权利要求1所述的较小等离子损伤的高密度等离子体沉积方法，其特征在于，所述HDP保护层薄膜在633nm波长光波下折射率≥1.5。

5.根据权利要求1中任意一项所述的较小等离子损伤的高密度等离子体沉积方法，其特征在于，所沉积的HDP保护层和HDP主体层厚度比优选为100~200：2000~10000。

6.根据上述任意一项权利要求所述的较小等离子损伤的高密度等离子体沉积方法，其特征在于，所述HDP保护层沉积条件还包括：

底部射频功率     3000~5000W；

中部射频功率     1000~2000W；

高部射频功率     0；

硅烷流量         300~500sccm；

氦气流量         200~300sccm；

顶部氧气流量     400~600sccm；

侧部氧气流量     100~300sccm。

7.根据权利要求1~5中任意一项所述的较小等离子损伤的高密度等离子体沉积方法，其特征在于，所述HDP主体层沉积条件包括：

底部射频功率     3000~5000W；

中部射频功率     1000~2000W；

高部射频功率     5000~6000W；

硅烷流量         200~300sccm；

氦气流量         200~300sccm；

顶部氧气流量     400~600sccm；

侧部氧气流量     100~300sccm。

8.一种MOS器件，其特征在于，包括衬底，包括衬底，衬底中含有NMOS区域和/或PMOS区域，在衬底上有蚀刻阻挡层，蚀刻阻挡层上沉积有HDP保护层，HDP保护层上为HDP主体层；

其中，所述HDP保护层材质为富硅二氧化硅。

9.根据权利要求8所述的MOS器件，其特征在于，所述衬底还包含硅化镍和/或硅化钴等硅化物作为晶体管的金属电极。

10.根据权利要求8所述的MOS器件，其特征在于，所述HDP保护层薄膜在633nm波长光波下折射率≥1.5。