[发明专利]一种内嵌齐纳触发结构的可控硅器件无效
| 申请号： | 201210015046.1 | 申请日： | 2012-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102569374A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 董树荣;吴健;黄丽;苗萌;曾杰;马飞;郑剑锋 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 内嵌齐纳 触发 结构 可控硅 器件 | ||
1.一种内嵌齐纳触发结构的可控硅器件，其特征在于，包括：
P-衬底层(10)；
所述的P-衬底层(10)上设有N-阱(21)和P-阱(22)，所述的N-阱(21)与P-阱(22)并排相连；所述的N-阱(21)与P-阱(22)的接合处上设有第三N+有源注入区(33)；
所述的N-阱上(21)并排设有第一N+有源注入区(31)和第一P+有源注入区(41)；所述的第一P+有源注入区(41)位于第一N+有源注入区(31)和第三N+有源注入区(33)之间；
所述的P-阱(22)上并排设有第二P+有源注入区(42)和第二N+有源注入区(32)；所述的第二P+有源注入区(42)位于第二N+有源注入区(32)和第三N+有源注入区(33)之间；
所述的第一N+有源注入区(31)和第一P+有源注入区(41)通过第一金属电极(51)相连，所述的第二P+有源注入区(32)和第二N+有源注入区(42)通过第二金属电极(52)相连。
2.根据权利要求1所述的内嵌齐纳触发结构的可控硅器件，其特征在于：所述的第一N+有源注入区(31)与第一P+有源注入区(41)、第二P+有源注入区(42)与第二N+有源注入区(32)或第一P+有源注入区(41)与第三N+有源注入区(33)通过浅槽(6)隔离，所述的第三N+有源注入区(33)和第二P+有源注入区(42)共用有源区。
3.根据权利要求1所述的内嵌齐纳触发结构的可控硅器件，其特征在于：所述的第三N+有源注入区(33)与第二P+有源注入区(42)之间的距离为0～0.5um。
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