[发明专利]具有增强的热辐射性能的薄膜覆晶型半导体封装无效
| 申请号： | 201210017507.9 | 申请日： | 2012-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN102623419A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 朴相弘;任俊成;洪性元;姜锡勋;崔荣玟;田珉浩 | 申请（专利权）人： | 株式会社乐恩 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/552 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾红霞;段斌 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 增强 热辐射 性能 薄膜 覆晶型 半导体 封装 | ||
1.一种COF型半导体封装，包括：
使用绝缘薄膜、形成在所述绝缘薄膜上的金属图案、和保护所述金属图案的表面绝缘层顺序层压而成的带互连基底；以及
安装在所述带互连基底上的半导体晶片，
其中所述金属图案包括与所述半导体晶片电气连接的电路图案，和与所述电路图案电气绝缘的绝缘图案。
2.根据权利要求1所述的COF型半导体封装，其中，所述绝缘薄膜形成有热辐射孔，以允许所述绝缘图案的一部分暴露于所述绝缘薄膜的底部表面。
3.根据权利要求1或2所述的COF型半导体封装，其中，所述绝缘图案连接到所述晶片的端子中发热量大于其它端子的发热端子。
4.根据权利要求3所述的COF型半导体封装，其中，所述发热端子包括用于给所述晶片供应驱动电源的供电端子。
5.根据权利要求1或2所述的COF型半导体封装，其中，所述绝缘图案连接到所述晶片的端子中的接地端子。
6.根据权利要求1所述的COF型半导体封装，其中，所述电路图案的一部分在所述绝缘薄膜上延伸以便构造成为与其它电路图案相比具有宽表面积的扩展图案。
7.根据权利要求6所述的COF型半导体封装，其中，所述绝缘薄膜形成有热辐射孔，以允许所述扩展图案的一部分暴露于所述绝缘薄膜的底部表面。
8.根据权利要求7所述的COF型半导体封装，还包括热辐射部，该热辐射部形成在所述绝缘薄膜的底部表面上、连接到通过所述热辐射孔暴露在所述绝缘薄膜的所述底部表面上的扩展图案，所述热辐射部用于将通过所述扩展图案传递的热散发到外部。
9.根据权利要求6所述的COF型半导体封装，其中，所述电路图案沿一定方向成线型布置在所述绝缘薄膜上，并且所述扩展图案朝所述绝缘薄膜上的中央区域延伸。
10.根据权利要求9所述的COF型半导体封装，其中，所述电路图案由彼此平行的两根线形成，并且所述扩展图案分别从所述两根线中的所述电路图案交替地延伸。
11.根据权利要求6至10中任一项所述的COF型半导体封装，其中，所述扩展图案形成为使得其端部与其其它部分相比具有较宽的宽度的形式延伸。
12.根据权利要求11所述的COF型半导体封装，其中，所述热辐射孔形成在与所述扩展图案的端部相对应的位置上。
13.根据权利要求6至10中任一项所述的COF型半导体封装，其中，所述扩展图案中的至少任何一个连接到所述晶片的端子中发热量大于其它端子的发热端子。
14.根据权利要求13所述的COF型半导体封装，其中，所述发热端子包括用于给所述晶片供应驱动电源的供电端子。
15.根据权利要求6至10中任一项所述的COF型半导体封装，其中，所述扩展图案中的至少任何一个连接到所述晶片的端子中的接地端子。
16.根据权利要求6至10中任一项所述的COF型半导体封装，其中，所述晶片的端子与不带任何隆起部的所述电路图案直接接触。
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