[发明专利]具有增强的热辐射性能的薄膜覆晶型半导体封装

说明书

相关申请

本申请要求2011年1月28日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2011-0008739的优先权，该申请的全部内容在此以引用方式并入。

技术领域

本发明涉及一种半导体封装，更具体地涉及一种将半导体晶片附着在薄膜上的COF(chip-on-film，薄膜覆晶)型半导体封装。

背景技术

COF型半导体封装与TCP(tape carrier package，带载封装)相比可使用更薄的带互连基底并且可更密集地设计互连图案。特别地，COF型半导体封装使用形成在带互连基底上的输入端子图案和输出端子图案取代锡珠作为外部连接端子，并且将输入端子图案和输出端子图案直接附着到印刷电路板或显示面板。

用于大批量生产高分辨率监视器的TCP技术在20世纪80年代后期被引入，随后成为市场上最优选的方法。然而，为了降低工艺成本并且根据半导体器件的微间距来提高产量，自20世纪90年代末期以来COF封装技术的市场份额不断增加。然而，为了实现具有高分辨率的显示器，当TV、监视器等的驱动频率增加到60Hz时，驱动器IC的驱动负载增加。因此，当采用COF封装技术时，IC(集成电路)晶片的发热成为严重问题。

为了解决上述问题，已提出一种方法，将热辐射垫附着在安装半导体晶片的互连薄膜的底部表面上。例如，如图1中所示，在COF型半导体封装中，由半导体集成电路实现的晶片18通过粘合剂(未示出)附着在具有柔性的薄膜11上。这里，薄膜11包括彼此层压的下绝缘层10、引线(lead)12和表面绝缘层14。此外，热辐射垫20通过粘合剂21附着在下绝缘层10的下表面上。在具有这种结构的COF型半导体封装中，由晶片18操作产生的热量通过成型树脂层16、引线12和下绝缘层10传递到热辐射垫20，并且通过热辐射垫20辐射到外部。

在附着有热辐射垫20的COF型半导体封装中，封装的厚度由于热辐射垫20而增加，因此不利于生产较薄的产品。此外，由于从晶片产生的热通过彼此具有不同材料的元件也就是成型树脂层16、引线12、下绝缘层10和热辐射垫20辐射，所以热辐射效果差。此外，通过粘合剂21附着于下绝缘层10的热辐射垫20可由于诸如集中作用在如部分“A”的角部上的摩擦力等外力而容易地与下绝缘层10分离。

发明内容

因此，本发明的一个目的是提供一种能够增强热辐射性能并且不会产生热辐射垫分离问题的COF型半导体封装。

根据本发明的一方面，提供一种COF型半导体封装，该半导体封装包括：使用绝缘薄膜、形成在绝缘薄膜上的金属图案、和保护金属图案的表面绝缘层顺序层压而成的带互连基底；以及安装在带互连基底上的半导体晶片，其中金属图案包括与半导体晶片电气连接的电路图案，以及与电路图案电气绝缘的绝缘图案。

绝缘薄膜可形成有热辐射孔，以允许绝缘图案的一部分暴露于绝缘薄膜的底部表面。

绝缘图案可连接到晶片的端子中发热量大于其它端子的发热端子。

发热端子可包括用于给晶片供应驱动电源的供电端子。

绝缘图案可连接到晶片的端子中的接地端子。

电路图案的一部分可在绝缘薄膜上延伸，以构造成为与其它电路图案相比具有宽表面积的扩展图案。

绝缘薄膜可形成有热辐射孔，以允许扩展图案的一部分暴露于绝缘薄膜的底部表面。

该COF型半导体封装还可包括热辐射部，该热辐射部形成在绝缘薄膜的底部表面上、连接到通过热辐射孔暴露在绝缘薄膜的底部表面上的扩展图案，该热辐射部用于将通过扩展图案传递的热散发到外部。

电路图案可沿某一方向成线型布置在绝缘薄膜上，并且扩展图案朝绝缘薄膜上的中央区域延伸。

电路图案可由彼此平行的两根线形成，并且扩展图案分别从这两根线内的电路图案交替地延伸。

扩展图案可形成为使得其端部与其其它部分相比具有较宽的宽度的形式延伸。

热辐射孔可形成在与扩展图案的端部相对应的位置上。

扩展图案中的至少任何一个可连接到晶片的端子中发热量大于其它端子的发热端子。

发热端子可包括用于给晶片供应驱动电源的供电端子。

扩展图案中的至少任何一个可连接到晶片端子中的接地端子。

晶片端子可以与不带任何隆起部的电路图案直接接触。