[发明专利]石墨烯负载多孔陶瓷导电材料及其制备方法

权利要求书

1.一种石墨烯负载多孔陶瓷导电材料的制备方法，所述方法包括：

(1)将作为基底的多孔陶瓷材料在金属盐溶液中提拉和还原，使多孔陶瓷材料表面附有一层金属；

(2)步骤(1)获得的多孔陶瓷材料在高温炉内通过化学气相沉积法沉积上石墨烯，获得石墨烯负载多孔陶瓷导电材料。

2.根据权利要求1所述的石墨烯负载多孔陶瓷导电材料的制备方法，其特征在于，所述多孔陶瓷为选自二氧化硅、三氧化二铝、碳化硅、氮化铝、氧化锆和碳化硼的成型的多孔陶瓷。

3.根据权利要求1所述的石墨烯负载多孔陶瓷导电材料的制备方法，其特征在于，将多孔陶瓷材料浸泡在金属盐溶液中，通过提拉法得到含金属盐的多孔陶瓷，并进行真空干燥。

4.根据权利要求1所述的石墨烯负载多孔陶瓷导电材料的制备方法，其特征在于，将干燥后的含金属盐的多孔陶瓷放入高温炉中，在还原气体和惰性气体保护下进行还原；优选地，所述还原温度控制在400-1200℃，时间为1-180分钟。

5.根据权利要求1所述的石墨烯负载多孔陶瓷导电材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括重复提拉和还原的操作，重复次数在2-20次。

6.根据权利要求1所述的石墨烯负载多孔陶瓷导电材料的制备方法，其特征在于，所述化学气相沉积法所采用的碳源包括：甲烷、乙烯、乙炔、乙醇、乙烷、丙烷以及它们的混合气；采用的保护气包括：氮气、氩气、氦气以及它们的混合气；和采用的还原气体为氢气。

7.根据权利要求1所述的石墨烯负载多孔陶瓷导电材料的制备方法，其特征在于，所述化学气相沉积法包括：

(1)程序升温，升温速率在0.5-20℃/分钟，加热至反应温度600-1400℃，恒温1-240分钟；

(2)然后，导入碳源、氢气和保护气，气体流量为1-800sccm，反应时间1-480分钟；

(3)反应完毕后控制降温速率为10-50℃/分钟，冷却至室温。

8.按照权利要求1-8任一项所述制备方法制得的石墨烯负载多孔陶瓷导电材料。

9.权利要求8所述石墨烯负载多孔陶瓷导电材料在光伏、导电材料和/或散热材料中的应用。