[发明专利]高频开关有效

专利信息
申请号: 201210018214.2 申请日: 2012-01-19
公开(公告)号: CN103219974A 公开(公告)日: 2013-07-24
发明(设计)人: 杉浦毅;乙部英一郎;丹治康纪;小谷典久 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H03K17/56 分类号: H03K17/56
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 高频 开关
【权利要求书】:

1.一种高频开关,包括:

向天线输出发送信号的共用端口;

输入所述发送信号的发送端口;以及

连接在多个所述发送端口和所述共用端口之间,并导通或者切断从各发送端口到所述共用端口的所述发送信号的多个开关部,

并且所述开关部具有形成在硅基板上的一个以上的金属氧化层半导体场效晶体管,并且在所述金属氧化层半导体场效晶体管中,在连接在所述共用端口的金属氧化层半导体场效晶体管的基极端子和连接在所述共用端口的端子之间连接有电容器。

2.根据权利要求1所述的高频开关,其特征在于,

所述开关部分别由多个所述金属氧化层半导体场效晶体管串联连接而成,并且所述金属氧化层半导体场效晶体管中只在连接在所述天线的所述金属氧化层半导体场效晶体管上连接有所述电容。

3.根据权利要求1所述的高频开关,其特征在于,

在所述金属氧化层半导体场效晶体管的所述基极端子上,分别通过电阻器供给基板电位。

4.根据权利要求1到3中任一项所述的高频开关,其特征在于,

所述硅基板为SOI基板。

5.根据权利要求1到3中任一项所述的高频开关,其特征在于,

所述硅基板为块体基板。

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