[发明专利]高频开关

说明书

技术领域

本发明涉及高频开关，尤其涉及使用于无线通信设备的前端部的高频开关。 

背景技术

使用于便携式电话机的前端部的高频开关，例如使用在GSM(Global System for Mobile Communications，全球移动通信系统)终端时，因为输出35dBm的高功率，因此需要可以适应这种高功率。 

作为与此相关的现有技术，已经公开了串联连接多个FET(Field Effect Transistor，场效应晶体管)构成高频开关的各开关部，并且将施加在各开关的电压均等分配在作为构成要素的多个FET上，从而提高高频开关的内压的结构(引用文献1)。 

专利文献1：日本专利公开2005-515657号公报。 

然而，形成在硅基板的MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金属氧化层半导体场效晶体管)在源极/漏极各端子和基极端子之间具有寄生二极管。并且，如果在发送信号时从导通端口(ON Port)侧的开关部通过共用端口输入到天线的功率变大，则在构成截止端口(OFF Port)侧开关部的MOSFET中，会使距共用端口近的MOSFET的上述寄生二极管导通，从而会产生信号波形失真的现象。该现象会使高 频开关的失真特性(谐波特性)劣化，但是上述现有技术不能解决这样的问题。 

发明内容

本发明用于解决上述问题，即在构成各开关部的金属氧化层半导体场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor：MOSFET)中在连接在共用端口的MOSFET的基极端子与连接在共用端口的端子(漏极端子)之间连接电容器。从而，将从共用端口向截止端口(OFF Port)侧的开关施加的高功率的发送信号向基极端子进行前馈，从而防止上述寄生二极管被导通，因此其目的为抑制高频开关的失真特性的劣化。 

为了解决上述问题，根据本发明的高频开关，包括：向天线输出发送信号的共用端口；输入上述发送信号的发送端口；连接在多个上述发送端口和上述共用端口之间，并导通或者切断从各发送端口到上述共用端口的上述发送信号的多个开关部。且上述开关部具有形成在硅基板的一个以上的MOSFET，并且在上述MOSFET中在连接在上述共用端口的MOSFET的基极端子和连接在上述共用端口的端子之间连接有电容器。 

即，根据本发明的高频开关，通过上述电容，将从共用端口侧向OFF Port侧的开关输入的高功率的发送信号向基极端子进行前馈，从而防止寄生二极管被导通。 

使用根据本发明的高频开关，可抑制高频开关的失真特性的劣化。 

附图说明

图1是示出根据本发明实施方式的高频开关和连接有前馈电容器的MOSFET的等效电路的图。 

图2是示出在现有高频开关中OFF Port的开关部使失真特性劣化的现象的图。 

图3是示出根据本发明实施方式的高频开关中防止发送信号失真特性劣化的前馈电容的功能的说明图。 

具体实施方式

下面对根据本发明实施方式的高频开关进行详细说明。 

图1是示出根据本发明实施方式的高频开关A和连接有前馈电容器的MOSFET的等效电路B的图纸。 

高频开关一般使用于无线通信设备的前端部，并且具有根据发送/接收的转换、接收方式的转换以及发送方式的转换中的至少一个进行端口转换的功能。根据本实施方式的高频开关，可以为由根据发送方式的转换进行端口转换的SPDT(Single Pole Double Throw，单刀多掷)开关构成的高频开关。 

图1的A是示出根据本实施方式的由SPDT开关构成的高频开关的图。根据本实施方式的高频开关，根据发送方式的转换进行端口转换。即，例如进行在GSM终端的波段的转换(例如，窄带的850NHz和宽带的1900MHz的转换)。 

如图1的A所示，高频开关1包括通过共用端口CX共同(并联)连接在天线110的第1开关部100A和第2开关部100B。第1开关部100A连接在第1发送端口TX1和共用端口CX之间，第2开关部100B连接在第2发送端口TX2和共用端口CX之间。