[发明专利]半导体设备工艺控制方法和半导体设备工艺控制装置

说明书

技术领域

本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种半导体设备工艺控制方法和半导体设备工艺控制装置。

背景技术

在晶硅太阳能电池制造设备中，半导体设备例如：等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，简称：PECVD)设备，多采用线型(In-line)的硬件结构形式，通过在线型镀膜技术(In-line PECVD)达到高效率、高产量的目的。图1为一种线型PECVD设备的结构示意图，如图1所示，该线型PECVD设备包括：装载台1、预热腔2、工艺腔3、冷却腔4、卸载台5和载板回收系统6，其中，载板回收系统6可包括返回台61、返回台62和返回台63。线型PECVD设备对晶片的处理流程包括：处于装载高位(实线框装载台所处的位置)的装载台1将晶片装载到载板上，并降至装载低位(虚线框装载台所处的位置)以接收载板回收系统6返回的载板；载板被传输至预热腔2，预热腔2对载板上装载的晶片进行预热处理；预热处理后，载板被传输至工艺腔3，工艺腔3对载板上装载的晶片进行镀膜处理；镀膜处理后，载板被传输至冷却腔4，冷却腔4对载板上装载的晶片进行冷却处理；冷却处理后，载板被传输至处于装卸高位(实线框装卸台所处的位置)的卸载台5，卸载台5将晶片从载板上卸下，降至装卸低位(虚线框装卸台所处的位置)，并将载板传输至载板回收系统6上；载板回收系统6通过其返回台61、返回台62和返回台63将载板返回处于装载低位的装载台1上；装载台1上升至装载高位，将晶片装载到载板上，并进行后续流程。

在PECVD设备对晶片进行工艺处理的整个流程中，为了提高生产效率，需要多块载板同时运行于PECVD设备的各个腔室中。生产过程中，可通过控制每个腔室的操作参数控制载板在该腔室中所需要执行的操作。

当每个载板进入预热腔2后，预热腔2均按照相应的预热腔操作参数对载板上的晶片进行预热处理；以及当每个载板进入工艺腔3后，工艺腔3均按照相应的工艺腔操作参数对载板上的晶片进行镀膜处理。

综上所述，在实际生产过程中，由于每个载板实际运行情况不同，例如：1号载板进行100次工艺处理后需要进行一次清洗工艺，而2号、3号和4号载板进行120次工艺处理后需要进行一次清洗工艺，因此当对1号载板进行了100次工艺处理后，停止当前流程，重新手动设置工艺腔操作参数，并由工艺腔根据重新设置的工艺腔操作参数对1号载板进行清洗处理。清洗完毕后，再次手动更改工艺腔操作参数，并继续执行对1号、2号、3号和4号载板的生产流程。由于对某一载板进行清洗处理时需要停止正常的工艺处理流程，手动更改工艺腔操作参数，因此增加了生产时间，从而降低了生产效率和产品产量。

发明内容

本发明提供一种半导体设备工艺控制方法和半导体设备工艺控制装置，在同一腔室中针对不同加工件自动执行不同工艺操作参数，以提高生产效率和产品产量。

为实现上述目的，本发明提供一种半导体设备工艺控制方法，包括：

识别传输至当前腔室中的加工件；

从预先设置的与所述加工件对应的加工件操作参数中读取当前腔室对应的操作参数，所述加工件操作参数包括所述加工件在每个腔室对应的操作参数；

根据所述当前腔室对应的操作参数，对所述加工件进行工艺处理。

进一步地，所述当前腔室对应的操作参数包括当前腔室生产工艺参数和当前腔室指定工艺参数。

进一步地，所述从预先设置的加工件操作参数中读取当前腔室对应的操作参数之前包括：判断生产工艺执行次数是否小于或者等于设定次数；

若判断出生产工艺执行次数小于设定次数，从与加工件对应的加工件操作参数中读取当前腔室生产工艺参数；根据当前腔室生产工艺参数，对所述加工件进行生产工艺处理；

若判断出生产工艺执行次数等于设定次数，从与加工件对应的加工件操作参数中读取当前腔室指定工艺参数；根据当前腔室指定工艺参数，对所述加工件进行指定工艺处理。

进一步地，所述根据当前腔室生产工艺参数，对所述加工件进行生产工艺处理之后，还包括：

对所述生产工艺执行次数进行加1处理。

进一步地，所述当前腔室生产工艺参数包括工艺腔参数中的生产工艺参数，所述当前腔室指定工艺参数包括工艺腔参数中的清洗参数。

进一步地，对所述预先设置的与所述加工件对应的加工件操作参数中读取的当前腔室对应的操作参数进行归类处理，将在相同腔室中具有相同或相近操作参数的加工件连续传输至腔室。

为实现上述目的，本发明还提供了一种半导体设备工艺控制装置，包括：