[发明专利]电路板、半导体元件、半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种电路板，包括：

电极部，包括：

铜层，

氧化铜层，形成在所述铜层上，以及

去除部，通过部分去除所述氧化铜层使得从所述氧化铜层部分地暴露所述铜层而形成；以及

用于倒装安装的焊料凸块，形成在通过所述去除部暴露的所述铜层上。

2.根据权利要求1所述的电路板，

其中，所述氧化铜层形成在所述铜层上，使得预定的十点平均粗糙度Rz被赋予所述氧化铜层的表面。

3.根据权利要求2所述的电路板，

其中，所述十点平均粗糙度Rz在20nm至200nm的范围内。

4.根据权利要求2所述的电路板，

其中，通过对所述铜层执行湿处理而在所述铜层上形成所述氧化铜层，以及

当通过所述湿处理形成所述氧化铜层时，所述十点平均粗糙度Rz被赋予所述氧化铜层的所述表面。

5.根据权利要求2所述的电路板，

其中，所述焊料凸块是通过在所述电极部上涂敷焊膏而形成的，所述焊膏的活性力被控制为使得去除形成在通过所述去除部暴露的所述铜层上的氧化铜膜而不去除被赋予所述十点平均粗糙度Rz的所述氧化铜层。

6.根据权利要求1所述的电路板，其中，所述焊料凸块不形成在所述氧化铜层上。

7.一种半导体元件，包括：

电极部，包括

铜层，

氧化铜层，形成在所述铜层上，以及

去除部，通过部分去除所述氧化铜层使得从所述氧化铜层部分地暴露所述铜层而形成；以及

用于倒装安装的焊料凸块，形成在通过所述去除部暴露的所述铜层上。

8.根据权利要求7所述的导体元件，其中，

其中，所述氧化铜层形成在所述铜层上，使得预定的十点平均粗糙度Rz被赋予所述氧化铜层的表面。

9.一种半导体装置，包括：

电路板，包括：

电极部，具有：

铜层，

氧化铜层，形成在所述铜层上，以及

去除部，通过部分去除所述氧化铜层使得从所述氧化铜层部分地暴露所述铜层而形成；以及

用于倒装安装的焊料凸块，形成在通过所述去除部暴露的所述铜层上；以及

半导体元件，具有通过设置在其间的所述焊料凸块而熔接至通过所述去除部暴露的所述铜层的接合部，并且被倒装安装至所述电路板。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，

其中，所述氧化铜层形成在所述铜层上，使得预定的十点平均粗糙度Rz被赋予所述氧化铜层的表面，所述半导体装置还包括：

底层填料，填充在所述电路板和所述半导体元件之间，并被放置为与被赋予所述十点平均粗糙度Rz的所述氧化铜层的表面紧密接触，同时将所述电路板固定至所述半导体元件。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，

其中，在将具有被控制为使得去除形成在所述焊料凸块表面上的氧化膜而不去除被赋予所述十点平均粗糙度Rz的所述氧化铜层的活性力的焊剂涂敷在所述焊料凸块和所述氧化铜层上的状态下，通过所述去除部所暴露的所述铜层和所述接合部通过设置在其间的所述焊料凸块而彼此熔接。

12.一种半导体装置，包括：

半导体元件，包括：

电极部，具有：

铜层，

氧化铜层，形成在所述铜层上，以及

去除部，通过部分去除所述氧化铜层使得从所述氧化铜层部分地暴露所述铜层而形成；以及

用于倒装安装的焊料凸块，形成在通过所述去除部暴露的所述铜层上；以及

电路板，具有通过设置在其间的所述焊料凸块而熔接至通过所述去除部暴露的所述铜层的接合部，并且所述半导体元件被倒装安装至所述电路板。

13.一种电路板制造方法，包括：

在电路板的电极部的铜层上形成氧化铜层；

通过部分去除所述氧化铜层使得从所述氧化铜层部分地暴露所述铜层来形成去除部；以及

在通过所述去除部暴露的所述铜层上形成用于倒装安装的焊料凸块。

14.根据权利要求13所述的电路板制造方法，

其中，所述形成氧化铜层是形成所述氧化铜层使得将预定的十点平均粗糙度Rz赋予所述氧化铜层的表面。