[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201210020273.3 | 申请日： | 2012-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN102623598A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 丁锺弼;黄净铉;金锺国;孙圣珍 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/32;H01L33/04;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;吴鹏章 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
1.一种发光器件，包括：
第一导电型半导体层；
在所述第一导电型半导体层上的发光层；
在所述发光层上的电子阻挡层；和
在所述电子阻挡层上的第二导电型半导体层，
其中所述电子阻挡层包括具有高度差的图案。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述电子阻挡层包括：
第一电子阻挡层，所述第一电子阻挡层不包括所述图案；和
在所述第一电子阻挡层上的第二电子阻挡层，所述第二电子阻挡层包括所述图案。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述电子阻挡层由具有组成式AlxInyGa(1-x-y)N的材料形成，其中0.1≤x≤1，0≤y≤0.3，0≤x+y≤1。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述电子阻挡层具有10％或者更多的Al含量和30％或者更少的In含量。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中所述电子阻挡层具有至的厚度。
6.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述电子阻挡层具有至的厚度。
7.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述第一电子阻挡层具至的厚度。
8.根据权利要求2至4中任一项所述的发光器件，其中所述第二电子阻挡层包括峰和谷。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中所述电子阻挡层包括第二导电型掺杂剂。
10.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述第二导电型掺杂剂包括Mg。
11.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中在所述第一导电型半导体层的顶面上设置有楔形湾状物部分。
12.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述楔形湾状物部分具有三角形横截面。
13.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述楔形湾状物部分的顶面具有六边形形状。
14.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述楔形湾状物部分的峰具有比所述第一导电型半导体层的生长表面的电阻更大的电阻。
15.根据权利要求11所述的发光器件，其中氮化物半导体超晶格层掺杂有N型掺杂剂。
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