[发明专利]发光器件

说明书

技术领域

实施方案涉及发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装件以及照明系统。

背景技术

发光二极管(LED)是将电能转化成光能的化合物半导体器件。在此，化合物半导体的组成比可以调整，以实现多种颜色。

近来，低电压/高功率驱动器件在LED背光单元市场变得受欢迎。为了在改善工作电压的同时保持发光强度，正在进行关于外延端的很多研究。具体而言，正在尝试用于改善工作电压(Vf)的多种方案。

发明内容

实施方案提供一种能够增加发光强度和改善工作电压Vf的发光器件、一种制造发光器件的方法、一种发光器件封装件以及一种照明系统。

在一个实施方案中，发光器件包括：第一导电型半导体层；所述第一导电型半导体层上方的发光层；所述发光层上方的电子阻挡层；和所述电子阻挡层上方的第二导电型半导体层，其中所述电子阻挡层包括具有高度差的图案。

根据发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装件以及照明系统，可以增加发光强度，并且，还可以改善工作电压(Vf)

下面的附图和描述中给出了一个或更多个实施方案的细节。根据描述和附图以及权利要求，其他特征将会变得明显。

附图说明

图1是根据一个实施方案的发光器件的截面图；

图2是示出根据一个实施方案的发光器件的改善的工作电压的示例的视图；

图3至图5是示出制造根据一个实施方案的发光器件的过程的截面图；

图6是根据一个实施方案的发光器件封装件的截面图；

图7是根据一个实施方案的照明单元的立体图；和

图8是根据一个实施方案的背光单元的立体图。

具体实施方案

下文中，将参照附图描述根据实施方案的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装件以及照明系统。

在实施方案的描述中，会理解，当称层(或者膜)位于另外的层或者基板“上”时，其可以直接位于另外的层或者基板上，或者也可以有中间层。此外，会理解，当层被称为位于另外的层“下”时，其可以直接位于另外的层下面，也可以有一个或更多个中间层。另外，还会理解，当称层位于两个层“之间”时，其可以是两个层之间的唯一的层，或者也可以有一个或更多个中间层。

(实施方案)

图1是根据实施方案的发光器件100的截面图。在此，虽然作为示例示出了横向型发光器件，但是本公开内容不限于此。

发光器件100包括：第一导电型半导体层110、第二导电型半导体层140以及设置在第一导电型半导体层110与第二导电型半导体层140之间的发光层120。

在此，第一导电型半导体层110可以是掺有N型掺杂剂(例如Si)的半导体层。此外，第二导电型半导体层140可以是掺有P型掺杂剂(例如Mg)的半导体层。下文中，虽然基于上述结构对这种应用进行描述，然而本公开内容不限于此。

可以进一步在第二导电型半导体层140与发光层120之间设置电子阻挡层130。

电子阻挡层130可以改善电子与空穴之间的复合，以及防止出现漏电流。电子阻挡层130可以在施加大电流时防止从第一导电型半导体层110注入发光层120中的电子在没有与发光层120中的空穴复合的情况下流到第二导电型半导体层140中。

也就说，因为电子阻挡层130具有比发光层120的带隙相对大的带隙，所以电子阻挡层130可以防止从第一导电型半导体层110注入的电子在没有与发光层120中的空穴复合的情况下注入第二导电型半导体层140中。

当电子阻挡层130较厚时，可以改善复合效率，以增加发光效率。然而，厚的电子阻挡层130可能中断从第二导电型半导体层140提供的空穴的移动，从而可能增加工作电压Vf。

根据当前实施方案的电子阻挡层130包括具有不均匀厚度的图案。例如，如图1中所示，电子阻挡层130可以包括具有相对厚的厚度的峰131b以及具有相对薄的厚度的谷131a。

从第一导电型半导体层110注入的电子可以在峰131b处进一步被阻挡，以使发光效率最大化。

此外，可以使从第二导电型半导体层140注入的空穴的移动的中断最小化，以使工作电压Vf的增加最小化。也就是说，根据当前实施方案的发光器件100可以包括厚的电子阻挡层130，以使电子阻挡效果最大化。另外，发光器件100可以包括空穴容易通过的浅谷131a以防止工作电压Vf增加。