[发明专利]半导体晶片、半导体条、半导体晶片的制造方法、半导体条的制造方法、半导体元件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体晶片，其特征在于，具有：

基板层，由半导体晶片的基板材料构成；

半导体层，设置在所述基板层上，包括在所述基板层上外延生长的一个以上的层；以及

多个半导体元件，以在所述半导体晶片的平面方向排列的方式使用所述半导体层形成，

所述半导体层包括外延生长的InGaAs外延层，

所述InGaAs外延层具有非形成部分，该非形成部分是沿着应该分割所述多个半导体元件的线设置并且使该InGaAs外延层之下的层至少相对于该InGaAs外延层之上的层露出的部分。

2.如权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于，

所述半导体层包括所述InGaAs外延层以外的一个以上的外延生长的其他半导体层，

仅所述半导体层中的所述InGaAs外延层具有所述非形成部分，

所述InGaAs外延层以外的所述其他半导体层在所述非形成部分的位置保留该其他半导体层的一部分或者全部。

3.如权利要求1或2所述的半导体晶片，其特征在于，

所述半导体元件是将解理面用作谐振器面的光半导体元件，

所述非形成部分以如下方式设置：沿着应该利用解理形成多个所述光半导体元件的所述谐振器面的线、并且在所述半导体晶片的端部在比所述谐振器面的位置更靠跟前的位置终结。

4.如权利要求1或2所述的半导体晶片，其特征在于，

所述半导体元件是将解理面用作谐振器面的光半导体元件，

在所述光半导体元件之间，在沿着所述解理面的分离位置，具有所述InGaAs外延层，

在所述光半导体元件之间，在不沿着所述解理面的分离位置，不具有所述InGaAs外延层。

5.如权利要求1或2所述的半导体晶片，其特征在于，

所述基板层是InP或者GaAs。

6.一种半导体晶片，其特征在于，具有：

基板层，由半导体晶片的基板材料构成；

半导体层，设置在所述基板层上，包括在所述基板层上外延生长的一个以上的层；

设置在所述基板层上的SiO₂绝缘膜或SiN绝缘膜或者具有以与这些同等的条件进行划线时阻碍向所述基板层形成垂直的裂纹的程度的硬度的绝缘膜即特定绝缘膜；以及

多个半导体元件，以在所述半导体晶片的平面方向排列的方式使用所述半导体层形成，

所述SiO₂绝缘膜或所述SiN绝缘膜或者所述特定绝缘膜具有非形成部分，该非形成部分是在所述多个半导体元件之间连续地或者隔开预定间隔设置并且使该SiO₂绝缘膜或该SiN绝缘膜或者该特定绝缘膜之下的层至少相对于该InGaAs外延层之上的层露出的部分。

7.如权利要求6所述的半导体晶片，其特征在于，

包括层叠在所述基板层上的所述SiO₂绝缘膜或所述SiN绝缘膜或者所述特定绝缘膜以外的一个以上的绝缘膜，

所述SiO₂绝缘膜或所述SiN绝缘膜或者所述特定绝缘膜具有所述非形成部分，

所述一个以上的绝缘膜在所述非形成部分的位置保留该一个以上的绝缘膜的一部分或者全部。

8.如权利要求6或7所述的半导体晶片，其特征在于，

所述半导体元件是将解理面用作谐振器面的光半导体元件，

所述非形成部分以如下方式设置：沿着应该利用解理形成多个所述光半导体元件的所述谐振器面的线、并且在所述半导体晶片的端部在比所述谐振器面的位置更靠跟前的位置终结。

9.如权利要求6或7所述的半导体晶片，其特征在于，

所述半导体元件是将解理面用作谐振器面的光半导体元件，

在所述光半导体元件之间，在沿着所述解理面的分离位置，具有所述一个以上的绝缘膜，

在所述光半导体元件之间，在不沿着所述解理面的分离位置，不具有所述一个以上的绝缘膜。

10.如权利要求6或7所述的半导体晶片，其特征在于，

所述基板层是InP或者GaAs。