[发明专利]薄膜晶体管阵列基板、其制造方法以及有机发光显示设备

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括：

薄膜晶体管，设置在基板上，所述TFT包括有源层、栅电极、源电极、漏电极、设置在所述有源层和所述栅电极之间的第一绝缘层以及设置在所述栅电极与所述源电极和所述漏电极之间的第二绝缘层；

像素电极，设置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上，所述像素电极连接至所述源电极和所述漏电极之一；

电容器，包括与所述栅电极设置在相同的层上的下电极，并且包括与所述像素电极包括相同材料的上电极；

第三绝缘层，直接设置在所述第二绝缘层和所述像素电极之间以及所述下电极和所述上电极之间；以及

第四绝缘层，覆盖所述源电极、所述漏电极和所述上电极并且暴露所述像素电极。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述第一绝缘层被共用地设置在所述有源层的上方和所述下电极的下方。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述第二绝缘层不设置在所述上电极与所述下电极之间。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述第三绝缘层的厚度小于所述第二绝缘层的厚度。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述第三绝缘层的厚度等于或大于500且等于或小于2000

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述第三绝缘层的介电常数高于所述第一绝缘层的介电常数。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述第三绝缘层包括SiN_x、SiO₂、ZrO₂、TiO₂、Ta₂O₅和Al₂O₃中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层被依次设置在所述像素电极和所述基板之间，并且第一至第三绝缘层的相邻绝缘层的折射率彼此不同。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述像素电极包括透明导电氧化物。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述透明导电氧化物包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、氧化铟、氧化铟镓和氧化铝锌中的至少一种。

11.根据权利要求9所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述像素电极进一步包括半透光金属层。

12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述半透光金属层被设置在包括所述透明导电氧化物的层上。

13.根据权利要求11所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述半透光金属层包括银、银合金、铝和铝合金中的至少一种。

14.根据权利要求11所述的薄膜晶体管阵列基板，进一步包括设置在所述半透光金属层上的保护层。

15.根据权利要求14所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述保护层包括透明导电氧化物。

16.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述像素电极的侧表面与所述第三绝缘层的侧表面对齐。

17.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述上电极的侧表面与所述第三绝缘层的侧表面对齐。

18.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述源电极和所述漏电极之一的与所述像素电极连接的部分被设置在所述像素电极的上方。

19.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述源电极和所述漏电极包括刻蚀速率与所述像素电极和所述上电极的刻蚀速率不同的材料。

20.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，进一步包括由与所述源电极和所述漏电极相同的材料形成的焊盘电极。

21.根据权利要求20所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述焊盘电极与所述源电极和所述漏电极设置在相同的层上。