[发明专利]薄膜晶体管阵列基板、其制造方法以及有机发光显示设备

说明书

技术领域

这里公开的实施例涉及薄膜晶体管(TFT)阵列基板，包括该薄膜晶体管阵列基板的有机发光设备，以及制造该有机发光显示设备的方法。

背景技术

诸如有机发光显示设备和液晶显示(LCD)设备的平板显示设备包括薄膜晶体管(TFT)、电容器和用于连接TFT和电容器的布线。

发明内容

根据实施例，提供一种薄膜晶体管(TFT)阵列基板，包括：TFT，设置于基板上，所述TFT包括有源层、栅电极、源电极、漏电极、设置于所述有源层和所述栅电极的第一绝缘层以及设置于所述栅电极与所述源电极和漏电极之间的第二绝缘层；像素电极，设置于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上，所述像素电极连接至所述源电极和所述漏电极之一；电容器，包括与所述栅电极设置在同一层上的下电极，并且包括与所述像素电极包括相同材料的上电极；第三绝缘层，直接设置于所述第二绝缘层和所述像素电极之间以及所述下电极和所述上电极之间；以及第四绝缘层，覆盖所述源电极、所述漏电极和所述上电极，并且暴露所述像素电极。

所述第一绝缘层可以被共用地设置在所述有源层的上方且在所述下电极之下。

所述第二绝缘层可以不设置在所述上电极和所述下电极之间。

所述第三绝缘层的厚度可以小于所述第二绝缘层的厚度。

所述第三绝缘层的厚度可以等于或大于大约500且等于或小于大约2000

所述第三绝缘层的介电常数可以高于所述第一绝缘层的介电常数。

所述第三绝缘层可以包括SiN_x、SiO₂、ZrO₂、TiO₂、Ta₂O₅和Al₂O₃中至少一种。

所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层可以被依次设置在所述像素电极和所述基板之间。所述第一至第三绝缘层的相邻绝缘层的折射率可以彼此不同。

所述像素电极可以包括透明导电氧化物(TCO)。

所述TCO可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的至少一种。

所述像素电极可以进一步包括半透光金属层。

所述半透光金属层可以设置在包括所述透明导电氧化物的层上。

所述半透光金属层可以包括银(Ag)、Ag合金、铝(Al)和铝合金中的至少一种。

所述TFT阵列基板可以进一步包括设置在所述半透光金属层上的保护层。

所述保护层可以包括TCO。

所述像素电极的侧表面可以与所述第三绝缘层的侧表面对齐。

所述上电极的侧表面可以与所述第三绝缘层的侧表面对齐。

所述源电极和所述漏电极之一的与所述像素电极连接的部分可以被设置在所述像素电极的上方。

所述源电极和所述漏电极可以包括刻蚀速率与所述像素电极和所述上电极的刻蚀速率不同的材料

所述TFT阵列基板可以进一步包括由与所述源电极和所述漏电极相同的材料形成的焊盘电极。

所述焊盘电极可以被设置在与所述源电极和所述漏电极相同的层上。

根据一实施例，提供一种有机发光显示设备，包括：TFT，设置于基板，所述TFT包括有源层、栅电极、源电极、漏电极、设置于所述有源层和所述栅电极之间的第一绝缘层以及设置于所述栅电极与所述源电极和漏电极之间的第二绝缘层；像素电极，设置于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上，所述像素电极连接至所述源电极和所述漏电极之一；电容器，包括与所述栅电极设置在同一层上的下电极，并且包括与所述像素电极包括相同材料的上电极；第三绝缘层，直接设置于所述第二绝缘层和所述像素电极之间以及所述下电极和所述上电极之间；第四绝缘层，覆盖所述源电极、所述漏电极和所述上电极，并且暴露所述像素电极；设置在所述像素电极上的有机发光层；以及设置在所述有机发光层上的对置电极。

所述对置电极可以是反射由所述有机发光层所发射的光的反射电极。