[发明专利]半导体器件、以及包含该半导体器件的组件和系统

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一栅极，其埋入在第一沟槽的下部中，所述第一沟槽限定在有源区中；

第一密封层，其设置在所述第一沟槽的上部处并且位于所述第一栅极的上方；

第二栅极，其埋入在第二沟槽的下部中，所述第二沟槽限定在所述有源区中；

第二密封层，其设置在所述第二沟槽的上部处并且位于所述第二栅极的上方；以及

触点插塞，其与所述第一栅极和所述第二栅极相连，所述触点插塞在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间延伸以接触顶部表面，所述触点插塞部分地延伸到所述第一沟槽和所述第二沟槽中，

其中，所述触点插塞包围位于所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的所述有源区的上部。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述触点插塞与位于所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的所述有源区的上部的全部侧表面接触。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，

所述侧表面与如下区域相对应，所述区域与位于所述第一沟槽的内部侧表面和所述第二沟槽的内部侧表面之间的位线重叠。

4.一种用于形成半导体器件的方法，包括：

形成限定有源区的器件隔离膜；

在所述有源区上形成第一埋入式栅极和第二埋入式栅极；

形成触点孔以使位于所述第一埋入式栅极和所述第二埋入式栅极之间的所述有源区的上部的顶部表面和全部侧表面露出；

形成触点层以掩埋所述触点孔；

在所述触点层上形成导电膜；以及

通过蚀刻所述导电膜和所述触点层形成位线和位线触点。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，形成所述第一埋入式栅极和所述第二埋入式栅极的步骤包括：

通过蚀刻所述有源区形成第一沟槽和第二沟槽；

在所述第一沟槽的下部和所述第二沟槽的下部处形成栅极导电膜；以及

在所述栅极导电膜上形成密封层，以便掩埋所述第一沟槽和所述第二沟槽。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，形成所述触点孔的步骤包括：

在包括所述栅极导电膜和所述密封层的所述有源区上形成层间绝缘膜；

使用位线触点掩模蚀刻所述层间绝缘膜、所述器件隔离膜、以及所述密封层，从而将位于所述第一埋入式栅极和所述第二埋入式栅极之间的所述有源区的顶部表面和侧表面露出。

7.根据权利要求4所述的方法，其中，形成所述位线和所述位线触点的步骤包括：

使用位线掩模依序蚀刻所述导电膜和所述触点层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述位线触点的步骤包括：

以所述触点层接触所述有源区的顶部表面以及第一沟槽的内部侧表面和第二沟槽的内部侧表面的方式蚀刻所述触点层。

9.一种半导体器件，包括：

单元阵列，其包括：埋入在有源区中的第一字线和第二字线；经由触点与位于所述第一字线和所述第二字线之间的所述有源区连接的位线；以及与所述第一字线、所述第二字线和所述位线连接的存储单元；以及

读出放大器，其与所述位线连接以读出在所述存储单元中存储的数据，

其中，所述触点形成为与位于所述第一字线和所述第二字线之间的所述有源区的上部的顶部表面和全部侧表面接触。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括：

行译码器，其构造成输出用于从所述单元阵列中选择下述单元的选择信号：待从所述单元读取数据或待将数据写入所述单元中；以及

列译码器，其构造成输出驱动信号，所述驱动信号用于对连接到由所述选择信号所选择的单元的读出放大器进行操作。

11.一种半导体组件，其包括安装到基板上的多个半导体器件，所述半导体组件包括：

所述多个半导体器件中的一个半导体器件，所述一个半导体器件包括：

第一栅极，其埋入在有源区中所包含的第一沟槽的下部中；

第二栅极，其埋入在所述有源区中所包含的第二沟槽的下部中；以及

触点，其由所述第一栅极和所述第二栅极共享，并且形成为与位于所述第一栅极和所述第二栅极之间的所述有源区的上部的顶部表面和全部侧表面接触。