[发明专利]用于对准或重叠的标记结构,限定它的掩模图案及使用该掩模图案的光刻投影装置无效
申请号: | 201210020887.1 | 申请日: | 2004-07-12 |
公开(公告)号: | CN102520594A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | J·M·芬德斯;M·杜萨;R·J·F·范哈伦;L·A·C·S·科里纳;E·H·J·亨德里克西;G·范登伯赫;A·H·M·范德霍夫 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F9/00;G03F1/42 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴敬莲 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 对准 重叠 标记 结构 限定 图案 使用 光刻 投影 装置 | ||
1.在光刻投影中用于将标记结构成像在基底上的掩模图案,该标记结构在使用中布置成用于确定光学对准或重叠,该掩模图案包括组成部分以限定标记结构,该组成部分被分成多个分段元件(EL;ML),每个分段元件大体上具有器件特征的尺寸,
该掩模图案包括用于每个分段元件(EL;ML)的部段形状,
其特征在于
用于标记结构的掩模图案包括至少一个位于部段形状的临界部分的辅助特征(EL_sub),用于平衡在光刻投影中在临界部分处产生的光学像差或者光学限制,该至少一个辅助特征(EL_sub)具有大体上小于光刻投影的分辨率的尺寸。
2.如权利要求1所述的掩模图案,其中至少一个辅助特征(EL_sub)限定为位于矩形部段(EL)的临界拐角附近的块状部段。
3.如权利要求1或2所述的掩模图案,其中至少一个辅助特征(EL_sub)限定为许多线状部段(EL)的临界外侧边缘附近的线状部段。
4.在光刻投影中用于将标记结构成像在基底上的掩模图案,该标记结构在使用中布置成用于确定光学对准或重叠,该掩模图案包括组成部分以限定标记结构,该组成部分被分成多个分段元件(EL),每个分段元件大体上具有器件特征的尺寸,该掩模图案包括用于每个分段元件(EL)的部段形状,
该光刻投影包括:
-提供辐射投射光束;
-用于将投射光束作为带图案光束构图的掩模图案;
-通过投影系统为带图案光束投影照明模式以照明基底的目标部分,该投影系统具有用于在小孔部分中接受带图案光束的小孔(AO);
其特征在于
用于标记结构的掩模图案包括多个隔离元件,这种隔离使得被投影的带图案光束大体上填充(fil)投影系统的小孔(AO)。
5.一种由前面任何一个权利要求所述的掩模图案产生的标记结构。
6.一种光刻投影装置,包括:
-用于提供辐射投射光束的辐射系统;
-用于支撑构图部件的支撑结构;
-用于保持基底的基底台(WS);
-用于将带图案的光束投射到基底的目标部分上的投影系统;
-在光刻处理过程中布置成用于确定光学对准或重叠的基底对准或重叠系统;
-包括至少一个标记结构的基底,通过使用如权利要求1-5中的任何一项所述的掩模图案形成该标记结构。
7.提供一种在光刻投影装置中用于光学对准或重叠的标记结构的方法,包括:
-用于提供辐射投射光束的辐射系统;
-用于支撑构图部件的支撑结构;
-用于保持基底的基底台(WS);
-用于投影的投影系统;以及
-在光刻处理过程中布置成用于确定光学对准或重叠的基底对准或重叠系统;
该方法包括将辐射投射光束引导通过构图部件,经过投影系统到达基底的目标部分,其中构图部件能够产生如权利要求1-6中的任何一项所述的图案。
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