[发明专利]用于半导体存储器的布局

权利要求书

1.一种半导体存储器，包括：

第一导电层，包括连接到第一位单元的第一对位线；

第二导电层，包括连接到所述第一位单元的第二对位线；

其中，所述第一导电层和所述第二导电层在纵向彼此分开。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中，所述第一对位线和所述第二对位线中的每条位线均连接到所述第一位单元中的相应的晶体管，所述晶体管形成在半导体衬底中，所述第一导电层和所述第二导电层设置在所述半导体衬底上方。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器，其中，所述晶体管中的每个晶体管均具有连接到在第三导电层中形成的第一字线和第二字线中之一的栅极。

4.根据权利要求2所述的半导体存储器，其中，一对交叉连接逆变器形成在所述半导体衬底中，并且该对交叉连接逆变器形成与所述晶体管连接的所述第一位单元的锁存器。

5.一种半导体存储器，包括：

第一位单元包括：

锁存器，

第一晶体管，连接到所述锁存器和第一位线，

第二晶体管，连接到所述锁存器和第二位线，

第三晶体管，连接到所述锁存器和第三位线，

第四晶体管，连接到所述锁存器和第四位线，

第一字线，连接到所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极，和

第二字线，连接到所述第三晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极，

其中，所述第一位线和第四位线设置在第一导电层中，所述第二位线和第三位线设置在与所述第一导电层分开的第二导电层中。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器，其中，所述第一导电层包括：

第一电源供应线和第二电源供应线，配置成供应第一电压并且设置在所述第一位线和所述第四位线之间，和

第三电源供应线，配置成供应第二电压并且设置在所述第一电源供应线和第二电源供应线之间。

7.根据权利要求5所述的半导体存储器，其中，所述第二导电层包括：

第一电源供应线和第二电源供应线，配置成供应第一电压并且设置在所述第二位线和所述第三位线之间，和

第三电源供应线，配置成供应第二电压并且设置在所述第一电源供应线和第二电源供应线之间。

8.一种半导体存储器，包括：

多个位单元，按照多行和多列布置，所述多行中的每一行与相应的一对字线关联，并且所述多列中的每一列与相应的两对不同的位线关联；

其中，设置在第一行和第一列中的第一位单元包括：

锁存器，形成在半导体衬底中，

第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管形成在所述半导体衬底中并且连接到所述锁存器，

第一位线，设置在第一导电层中并且通过第一通孔连接到所述第一晶体管，

第二位线，设置在所述第一导电层中并且通过第二通孔连接到所述第二晶体管，

第三位线，设置在第二导电层中并且通过第三通孔连接到所述第三晶体管，和

第四位线，设置在所述第二导电层中并且通过第四通孔连接到所述第四晶体管。

9.根据权利要求8所述的半导体存储器，其中，所述第一位单元包括：

第一字线，设置在第三导电层中并且连接到所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极，和

第二字线，设置在所述第三导电层中并且连接到所述第三晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极。

10.根据权利要求8所述的半导体存储器，进一步包括设置在第一列和第二行中的第二位单元，所述第二位单元包括：

第二锁存器，形成在所述半导体衬底中，

第五晶体管，形成在所述半导体衬底中并且连接到所述第二锁存器和所述第一位线，

第六晶体管，形成在所述半导体衬底中并且连接到所述第二锁存器和所述第二位线，

第七晶体管，形成在所述半导体衬底中并且连接到所述第二锁存器和所述第三位线，

第八晶体管，形成在所述半导体衬底中并且连接到所述第二锁存器和所述第四位线，

第三字线，设置在所述第三导电层中并且连接到所述第五晶体管的栅极和所述第六晶体管的栅极，和

第四字线，设置在所述第三导电层中并且连接到所述第七晶体管的栅极和所述第八晶体管的栅极。