[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201210021444.4 | 申请日： | 2012-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN102623594B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 丁钟弼;李祥炫;沈世焕;丁声而 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 张浴月,郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
1.一种发光器件，包括：
基板；
第一导电半导体层，布置在所述基板上；
有源层，布置在所述第一导电半导体层上；以及
第二导电半导体层，布置在所述有源层上；
其中所述第一导电半导体层包括在上表面处设置有凹口的第一层、布置在所述第一层上的第二层、以及布置在所述第二层上的第三层；
其中所述第一导电半导体层还包括位于所述第一层与所述第二层之间的阻挡层，并且所述阻挡层沿所述凹口布置。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二层的上表面是平坦的。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述阻挡层为AlGaN/GaN超晶格层。
4.根据权利要求1至3中的任一权利要求所述的发光器件，其中所述第一层和所述第三层掺杂有杂质。
5.根据权利要求1至3中的任一权利要求所述的发光器件，其中所述第二层包括硅。
6.根据权利要求1至3中的任一权利要求所述的发光器件，其中所述第二层未掺杂。
7.根据权利要求1至3中的任一权利要求所述的发光器件，其中所述凹口具有六棱锥或楔形形状。
8.一种发光器件，包括：
基板；
第一导电半导体层，布置在所述基板上；
有源层，布置在所述第一导电半导体层上；以及
第二导电半导体层，布置在所述有源层上；
其中所述第一导电半导体层包括含有多个岛状物的第一层、布置在所述第一层上的第二层、以及布置在所述第二层上的第三层。
9.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述岛状物包含MgN、SiN和/或ZnN的至少其中之一。
10.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述岛状物布置在所述第一层上的至少一个部分处。
11.根据权利要求8至10中的任一权利要求所述的发光器件，其中所述第二层的上表面是平坦的。
12.根据权利要求8至10中的任一权利要求所述的发光器件，其中所述第二层包括硅。
13.根据权利要求8至10中的任一权利要求所述的发光器件，其中所述第一层和所述第三层掺杂有杂质。
14.根据权利要求8至10中的任一权利要求所述的发光器件，其中所述第一层在所述多个岛状物之中的两个相邻岛状物之间延伸。
15.根据权利要求1至3以及8至10中的任一权利要求所述的发光器件，其中所述第一导电半导体层掺杂有n型掺杂物。
16.根据权利要求1至3以及8至10中的任一权利要求所述的发光器件，其中所述第二导电半导体层掺杂有p型掺杂物。
17.根据权利要求1至3以及8至10中的任一权利要求所述的发光器件，还包括布置在所述第二导电半导体层上的透光电极层。
18.根据权利要求1至3以及8至10中的任一权利要求所述的发光器件，还包括：
第一电极，电连接到所述第一导电半导体层；以及
第二电极，布置在所述第二导电半导体层上。
19.根据权利要求1至3以及8至10中的任一权利要求所述的发光器件，还包括用于阻挡电子的中间层，插入在所述有源层与所述第二导电半导体层之间。
20.一种发光器件封装，包括根据权利要求1至19中的任一项所述的发光器件。
21.一种照明器件，包括根据权利要求1至19中的任一项所述的发光器件。
22.一种背光单元，包括根据权利要求1至19中的任一项所述的发光器件。
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