[发明专利]一种用于等离子体处理装置的载片台有效
| 申请号： | 201210021957.5 | 申请日： | 2012-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN103227088A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 陶铮;凯文·佩尔斯;松尾裕史;曹雪操 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/20 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 等离子体 处理 装置 载片台 | ||
1.一种应用于等离子体处理装置的用于承载基片的载片台，其中，所述基片位于所述载片台上方，其特征在于，所述载片台包括：
第一电极，其与具有第一频率的射频电源连接，用于产生等离子体，
静电吸盘，其位于所述第一电极上方，其中，所述静电吸盘包括：
第一电介质层，其中设置有一个或多个真空空洞；
第二电介质层，其位于所述第一电介质层上方，并埋设有用于产生静电吸力的电极。
2.根据权利要求1所述的载片台，其特征在于，所述一个或多个真空空洞设置于对应于所述基片中央区域下方的所述第一电介质层中。
3.根据权利要求1所述的载片台，其特征在于，所述一个或多个真空空洞分别设置于对应于所述基片中央区域和边缘区域，以及位于所述中央区域和所述边缘区域之间的中间区域的所述第一电介质层中。
4.根据权利要求3所述的载片台，其特征在于，所述对应于所述基片中央区域的一个或多个真空空洞和所述对应于所述基片中间区域的一个或多个真空空洞的体积相同。
5.根据权利要求4所述的载片台，其特征在于，所述对应于基片中央区域的一个或多个空洞与所述对应于基片中间区域的一个或多个空洞相连，成为一体。
6.根据权利要求3所述的载片台，其特征在于，所述对应于所述基片中央区域的一个或多个真空空洞的体积大于所述对应于所述基片中间区域的一个或多个真空空洞的体积。
7.根据权利要求6所述的载片台，其特征在于，所述对应于基片中央区域的一个或多个空洞与所述对应于基片中间区域的一个或多个空洞相连，成为一体。
8.根据权利要求1至7任一项所述的载片台，其特征在于，所述第一频率为13M赫兹以上。
9.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括权利要求1至7任一项所述的载片台。
10.根据权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一频率为13M赫兹以上。
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