[发明专利]一种用于等离子体处理装置的载片台

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种用于等离子体处理装置的载片台。

背景技术

半导体工艺件的边缘效应是困扰半导体产业的一个问题。所谓半导体工艺件的边缘效应是指在等离子体处理过程中，由于等离子体受电场控制，而上下两极边缘处的场强会受边缘条件的影响，总有一部分电场线弯曲，而导致电场边缘部分场强不均，进而导致该部分的等离子体浓度不均匀。在该种情况下，生产出的半导体工艺件周围也存在一圈处理不均匀的区域。这一不均匀现象在射频电场频率越高时越明显，在射频频率大于60MHZ甚至大于100Mhz时这一等离子浓度的不均匀性程度已经很难再用其它装置如位于静电夹盘边缘的聚集环来调控。

由于半导体工艺件是圆形的，因此愈外圈面积愈大，边缘部分的各个工艺环节的均一性不佳将导致成品率显著下降。在普遍采用300mm制程的今天，半导体工艺件边缘效应带来的损失更为巨大。

因此，业内需要能够简单有效地改善边缘效应，提高制程均一性。

发明内容

针对背景技术中的上述问题，本发明提出了能够改善均一性的用于等离子体处理装置的载片台。

本发明第一方面提供一种应用于等离子体处理装置的用于承载基片的载片台，其中，所述基片位于所述载片台上方，其中，所述载片台包括：

第一电极，其与具有第一频率的射频电源连接，用于产生等离子体，

静电吸盘，其位于所述第一电极上方，其中，所述静电吸盘包括：

第一电介质层，其中设置有一个或多个真空空洞；

第二电介质层，其位于所述第一电介质层上方，并埋设有用于产生静电吸力的电极。

可选地，所述一个或多个真空空洞设置于对应于所述基片中央区域下方的所述第一电介质层中。

可选地，所述一个或多个真空空洞分别设置于对应于所述基片中央区域和边缘区域，以及位于所述中央区域和所述边缘区域之间的中间区域的所述第一电介质层中。

可选地，所述对应于所述基片中央区域的一个或多个真空空洞和所述对应于所述基片中间区域的一个或多个真空空洞的体积相同。

进一步地，所述对应于基片中央区域的一个或多个空洞与所述对应于基片中间区域的一个或多个空洞相连，成为一体。

可选地，所述对应于所述基片中央区域的一个或多个真空空洞的体积大于所述对应于所述基片中间区域的一个或多个真空空洞的体积。

进一步地，所述对应于基片中央区域的一个或多个空洞与所述对应于基片中间区域的一个或多个空洞相连，成为一体。

其中，所述第一频率为13M赫兹以上。

本发明第二方面还提供一种等离子体处理装置，其中，包括本发明第一方面提供的载片台。

其中，所述第一频率为13M赫兹以上。

本发明提供的载片台及包括该载片台的等离子体处理装置能够简单有效地改善边缘效应，提高制程均一性。

附图说明

图1是本发明的优选实施例的真空处理装置的载片台结构示意图；

图2是本发明对基片进行区域划分的示意图；

图3是本发明的第一具体实施例的真空处理装置的载片台结构示意图；

图4是本发明的第二具体实施例的真空处理装置的载片台结构示意图；

图5是本发明发明效果示意图。

具体实施方式

以下结合附图，对本发明的具体实施方式进行说明。

本发明通过在真空处理装置的位于下电极和基片之间的电介质中设置一个或多个空洞，来改变所述下电极和基片下表面之间等效电容的介电常数，从而进一步改变所述等效电容的大小，以实现对基片的制程均一性进行优化。

图1是本发明一个具体实施例的真空处理装置的载片台结构示意图。在下文将描述的具体实施例中，所述真空处理装置特别地为刻蚀机台。如图1所示，本发明提供了一种应用于等离子体处理装置1的用于承载基片W的载片台1，其中，所述基片W位于所述载片台1上方。其中，所述载片台1包括：

第一电极13，所述第一电极13与具有第一频率f的射频电源15连接。需要说明的是，在刻蚀机台腔室上部分还包括一个与所述第一电极13平行的第二电极(未示出)，两者结合起来用于产生制程用的等离子体，以对所述基片W进行刻蚀处理。

其中，所述第一电极13是由电导体材料制程，特别地，可由金属铝制成。

静电吸盘，其位于所述第一电极13上方，其中，包括：