[发明专利]具有掩埋位线的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

有源本体，所述有源本体具有在横向上彼此面对的两个侧壁；

结，所述结形成在所述两个侧壁中的一个侧壁中；

电介质层，所述电介质层具有暴露出所述结的开放部分并且覆盖所述有源本体；

结延伸部分，所述结延伸部分具有填充所述开放部分的掩埋区；以及

位线，所述位线与所述结延伸部分耦接。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述结延伸部分包括硅层。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述结延伸部分包括杂质掺杂的多晶硅层。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述结和所述结延伸部分掺杂有杂质，所述杂质具有相同导电类型。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述位线包括金属层或金属氮化物层。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述结延伸部分包括多晶硅层，所述位线包括氮化钛层。

7.如权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

有源柱，所述有源柱形成在所述有源本体之上；

字线，所述字线形成在所述有源柱的侧壁上并沿着与所述位线交叉的方向延伸；以及

电容器，所述电容器与所述有源柱的上部耦接。

8.一种半导体器件，包括：

多个有源本体，所述多个有源本体由多个沟槽隔离并且具有两个侧壁；

多个结，所述多个结形成在各个有源本体的侧壁中的一个侧壁上；

电介质层，所述电介质层具有暴露出各个结的多个开放部分并且覆盖所述有源本体的两个侧壁；

多个掩埋位线，所述多个掩埋位线形成在所述电介质层之上并且部分地填充各个沟槽；以及

多个结延伸部分，所述多个结延伸部分填充各个开放部分并且形成在所述掩埋位线与所述结之间。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述结延伸部分被形成在所述掩埋位线与所述电介质层之间。

10.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述结延伸部分包括硅层。

11.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述结延伸部分包括杂质掺杂的多晶硅层。

12.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述掩埋位线包括金属层或金属氮化物。

13.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述结延伸部分包括多晶硅层，所述掩埋位线包括氮化钛层。

14.一种半导体器件，包括：

多个有源本体，所述多个有源本体由多个第一沟槽来隔离并且具有两个侧壁；

多个结，所述多个结形成在各个有源本体的侧壁中的一个侧壁中；

电介质层，所述电介质层具有暴露出各个结的多个开放部分并且覆盖所述有源本体的两个侧壁；

多个掩埋位线，所述多个掩埋位线形成在所述电介质层之上并且部分地填充各个沟槽；

多个结延伸部分，所述多个结延伸部分形成在所述掩埋位线与所述结之间并且填充各个开放部分；

多个有源柱，所述多个有源柱形成在各个有源本体之上并且由与所述第一构槽交叉的方向上的多个第二沟槽来隔离；

多个垂直字线，所述多个垂直字线形成在所述有源柱的侧壁上并且沿着与所述掩埋位线交叉的方向延伸；以及

多个电容器，所述多个电容器与各个有源柱的上部耦接。

15.如权利要求14所述的半导体器件，其中所述结延伸部分包括硅层。

16.如权利要求14所述的半导体器件，其中所述结延伸部分包括杂质掺杂的多晶硅层。

17.如权利要求14所述的半导体器件，其中所述掩埋位线包括金属层或金属氮化物。

18.如权利要求14所述的半导体器件，其中所述结延伸部分包括多晶硅层，所述掩埋位线包括氮化钛层。