[发明专利]一种二次电池的充电装置有效

专利信息
申请号: 201210024001.0 申请日: 2012-02-03
公开(公告)号: CN103248074A 公开(公告)日: 2013-08-14
发明(设计)人: 樊晓微;周湘鲁 申请(专利权)人: 无锡华润上华半导体有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 唐立;王忠忠
地址: 214028 中国无锡*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 二次 电池 充电 装置
【权利要求书】:

1.一种二次电池的充电装置,包括充电控制电路主模块(110)和逻辑控制电路主模块(120),其特征在于,还包括:恒温充电模块(330)和/或恒流充电模块(540);

其中,所述恒温充电模块(330)耦接于所述充电控制电路主模块(110),并且,在充电过程中,所述充电装置的温度超过预定温度值后,所述恒温充电模块(330)用于调节控制充电电流以使充电装置基本地维持在预定温度值;

所述恒流充电模块(540)耦接于所述充电控制电路主模块(110),并且,在充电过程中,所述充电电流超过预定电流值后,所述恒流充电模块(540)用于调节控制充电电流以使其基本地维持在预定电流值。

2.如权利要求1所述的充电装置,其特征在于,所述二次电池为手机中使用的二次电池,所述充电装置是适应于为多种手机中使用的二次电池进行充电的万能充电器。

3.如权利要求1或2所述的充电装置,其特征在于,所述充电装置包括所述二次电池的充电回路,所述充电回路中设置有用于控制二次电池的充电电流的驱动MOS晶体管(M1);

所述恒温充电模块(330)包括:

用于采样反馈温度信号的三极管(Q1);

用于执行比较运算的第一运算放大器(OA1);以及

第一选通管(M3),其受所述第一运算放大器(OA1)的输出端控制以选择性地输出温度反馈信号至所述驱动MOS晶体管(M1)的栅极。

4.如权利要求3所述的充电装置,其特征在于,所述三极管为PNP/NPN型三极管,所述三极管(Q1)的发射极被接入恒流源(Ib),所述三极管(Q1)的基极和集电极接地,具有负温度系数的所述三极管的发射极基极电压(Vbe)被输入至所述第一运算放大器(OA1)的第一输入端。

5.如权利要求3所述的充电装置,其特征在于,所述第一运算放大器(OA1)的第二输入端被接入第一参考电压,通过设定所述第一参考电压的大小以确定所述预定温度值。

6.如权利要求3所述的充电装置,其特征在于,所述第一选通管(M3)为PMOS/NMOS晶体管,所述PMOS/NMOS晶体管的栅极和漏极耦接于所述第一运算放大器(OA1)的输出端,所述PMOS/NMOS晶体管的源极耦接至所述驱动MOS晶体管的栅极。

7.如权利要求1或2所述的充电装置,其特征在于,所述充电装置包括所述二次电池的充电回路,所述充电回路中设置有用于控制二次电池的充电电流的驱动MOS晶体管(M1);

所述恒流充电模块(540)包括:

用于采样所述充电回路中的充电电流的采样MOS晶体管(M2);

与所述采样MOS晶体管(M2)串联连接的电阻(R); 

用于执行比较运算的第二运算放大器(OA2);以及

第二选通管(M5),其受所述第二运算放大器(OA2)的输出端控制以选择性地输出充电电流反馈信号至所述驱动MOS晶体管(M1)和所述采样MOS晶体管(M2)的栅极。

8.如权利要求7所述的充电装置,其特征在于,所述恒流充电模块(540)还包括:

第三运算放大器(OA3),以及

第三MOS晶体管(M4);

其中,所述驱动MOS晶体管(M1)的漏极连接所述第三运算放大器(OA3)的第一输入端,所述采样MOS晶体管(M2)的漏极同时连接所述第三运算放大器(OA3)的第二输入端和所述第三MOS晶体管(M4)的源极,所述第三运算放大器(OA3)的输出端连接所述第三MOS晶体管(M4)的栅极。

9.如权利要求7所述的充电装置,其特征在于,所述采样MOS晶体管(M2)是相对于所述驱动MOS晶体管(M1)按比例缩小的MOS晶体管。

10.如权利要求9所述的充电装置,其特征在于,所述采样MOS晶体管(M2)和所述驱动MOS晶体管(M1)均为PMOS晶体管。

11.如权利要求7所述的充电装置,其特征在于,所述电阻(R)两端的电压信号被反馈输入至所述第二运算放大器(OA2)的二输入端,所述第二运算放大器(OA1)的第一输入端被接入第二参考电压,通过设定所述第二参考电压的大小以确定所述预定电流值。

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