[发明专利]一种二次电池的充电装置

说明书

技术领域

本发明属于二次电池充电技术领域，涉及二次电池的充电装置，尤其涉及带恒温充电模块和/或恒流充电模块的充电装置。

背景技术

    二次电池在各种便携式电子装置（例如，笔记本电脑、手机、数字音乐播放器等等）中广泛应用，例如，各种可充电式的镍镉（Ni-Cd）电池、镍氢（Ni-H）电池、锂（lithium-ion）电池、镍金属氢化物（Nickel Metal-Hydride，Ni-H）电池等，因此，一般地，对应二次电池配置有相应的充电装置。

    充电装置的控制驱动部分通常通过集成电路（IC）芯片实现，其用于控制充电过程。在设计该集成电路芯片时，通常必须考虑充电过程对电池性能以及芯片本身的影响，同时必须兼顾充电效率。当前，业界在不停地追求提高充电效率、减小充电过程对二次电池和充电装置寿命的影响、以及提高充电装置和二次电池的安全可靠性。

发明内容

为解决现有技术中二次电池的充电装置中的不足，本发明的目的之一在于基本实现对二次电池的恒温充电控制以提高二次电池和充电装置的使用寿命、提高充电效率。

本发明的还一目的在于，提高充电装置和二次电池的安全可靠性。

为实现以上目的或者其他目的，本发明提供一种二次电池的充电装置，包括充电控制电路主模块和逻辑控制电路主模块，其特征在于，还包括：恒温充电模块和/或恒流充电模块；

其中，所述恒温充电模块耦接于所述充电控制电路主模块，并且，在充电过程中，所述充电装置的温度超过预定温度值后，所述恒温充电模块用于调节控制充电电流以使充电装置基本地维持在一预定温度值；

所述恒流充电模块耦接于所述充电控制电路主模块，并且，在充电过程中，所述充电电流超过预定电流值后，所述恒流充电模块用于调节控制充电电流以使其基本地维持在一预定电流值。

按照本发明一实施例的充电装置，其中，所述二次电池为手机中使用的二次电池，所述充电装置是适应于为多种手机中使用的二次电池进行充电的万能充电器。

按照本发明又一实施例的充电装置，其中，所述充电装置包括所述二次电池的充电回路，所述充电回路中设置有用于控制二次电池的充电电流的驱动MOS晶体管；

所述恒温充电模块包括：

用于采样反馈温度信号的三极管；

用于执行比较运算的第一运算放大器；以及

第一选通管，其受所述第一运算放大器的输出端控制以选择性地输出温度反馈信号至所述驱动MOS晶体管的栅极。

在之前所述任意实施例的充电装置中，较佳地，所述三极管为PNP型三极管，所述三极管的发射极被接入恒流源，所述三极管的基极和集电极接地，具有负温度系数的所述三极管的发射极基极电压被输入至所述第一运算放大器的第一输入端。

在之前所述任意实施例的充电装置中，较佳地，所述第一运算放大器的第二输入端被接入第一参考电压，通过设定所述第一参考电压的大小以确定所述预定温度值。

在之前所述任意实施例的充电装置中，较佳地，所述第一选通管为PMOS/NMOS晶体管，所述PMOS/NMOS晶体管的栅极和漏极耦接于所述第一运算放大器的输出端，所述PMOS/NMOS晶体管的源极耦接至所述驱动MOS晶体管的栅极。

按照本发明还一实施例的充电装置，其中，所述充电装置包括所述二次电池的充电回路，所述充电回路中设置有用于控制二次电池的充电电流的驱动MOS晶体管；

所述恒流充电模块包括：

用于采样所述充电回路中的充电电流的采样MOS晶体管；

与所述采样MOS晶体管串联连接的电阻； 

用于执行比较运算的第二运算放大器；以及

第二选通管，其受所述第二运算放大器的输出端控制以选择性地输出充电电流反馈信号至所述驱动MOS晶体管和所述采样MOS晶体管的栅极。

在之前所述任意实施例的充电装置中，较佳地，所述恒流充电模块还包括：

第三运算放大器，以及

第三MOS晶体管；

其中，所述驱动MOS晶体管的漏极连接所述第三运算放大器的第一输入端，所述采样MOS晶体管的漏极同时连接所述第三运算放大器的第二输入端和所述第三MOS晶体管的源极，所述第三运算放大器的输出端连接所述第三MOS晶体管的栅极。

在之前所述任意实施例的充电装置中，较佳地，所述采样MOS晶体管是相对于所述驱动MOS晶体管按比例缩小的MOS晶体管。