[发明专利]通过蒸馏纯化氯硅烷的方法有效

专利信息
申请号: 201210025073.7 申请日: 2012-02-01
公开(公告)号: CN102627282A 公开(公告)日: 2012-08-08
发明(设计)人: U·佩措尔德;W·黑克尔;J·普罗哈斯卡 申请(专利权)人: 瓦克化学股份公司
主分类号: C01B33/107 分类号: C01B33/107
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 过晓东;谭邦会
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 通过 蒸馏 纯化 硅烷 方法
【权利要求书】:

1.通过蒸馏来纯化氯硅烷的方法,其包括提供包含TCS、DCS和STC的氯硅烷的含硼的混合物,并通过在多个蒸馏塔中进行蒸馏来纯化氯硅烷的混合物,其中通过包含富含硼的DCS的塔顶料流从蒸馏塔分流出低沸点的硼化合物,并通过包含高沸点物的富含硼的塔底料流分流出高沸点的硼化合物。

2.权利要求1的方法,其中提供的氯硅烷的混合物是通过冶金硅与HCl在流化床反应器中在350-400℃下反应制得的。

3.权利要求1或2的方法,其中提供的氯硅烷的混合物被进料至分离塔(2),其中选择塔参数,以使小于10ppm的STC存在于来自分离塔(2)的第一级分(3)中,且小于10ppm的TCS存在于来自分离塔(2)的第二级分(4)中。

4.权利要求3的方法,其中来自分离塔(2)的第二级分(4)被进料至第二塔(5),并通过蒸馏被分离成包含STC的塔顶料流(5a),和包含高沸点物的富含硼的塔底料流(5b)。

5.权利要求3的方法,其中来自分离塔(2)的第一级分(3)被进料至第三塔(6),并通过蒸馏被分离成包含TCS的塔底料流(6b),和包含TCS和低沸点物如DCS的富含硼的塔顶料流(6a)。

6.权利要求5的方法,其中来自第三塔(6)的塔顶料流(6a)被进料至第四塔(7)中,并向其供入惰性气体,来自第四塔(7)的包含富含硼的DCS的塔顶料流(7a)被排出,来自第四塔(7)的塔底料流(7b)被再循环至分离塔(2),且来自第四塔(7)的包含废气的第二料流(7c)被除掉。

7.权利要求6的方法,其中第四塔(7)在超大气压下进行操作。

8.权利要求6或7的方法,其中来自第三塔(6)的塔顶料流(6a)被液化,然后被进料至第四塔(7)中。

9.权利要求8的方法,其中利用水冷却器6w将塔顶料流(6a)冷却至温度约10-30℃,将形成的冷凝物(6wk)再循环至第三塔(6),将未冷凝的材料(6wnk)进料至盐水冷却器(6s),盐水冷却器(6s)将产物料流冷却至约-7℃,将在盐水冷却器(6s)中未冷凝的材料(6snk)进料至低温冷却段(6t),并在低温冷却段(6t)中冷凝形成冷凝物(6tk),然后将冷凝物(6tk)和来自盐水冷却器的冷凝物(6sk)进料至第四塔(7)。

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