[发明专利]转接板及其形成方法

权利要求书

1.一种转接板，其特征在于，包括：

一基底，具有一第一表面及一第二表面；

一第一孔洞，自该基底的该第一表面朝该第二表面延伸；

一第二孔洞，自该基底的该第一表面朝该第二表面延伸，其中该第一孔洞的一口径不同于该第二孔洞的一口径；

一绝缘层，位于该基底之上，且延伸于该第一孔洞的一侧壁上及该第二孔洞的一侧壁上；以及

一导电层，位于该基底上的该绝缘层之上，且延伸进入该第一孔洞的该侧壁上，其中该第二孔洞之中大抵不具有任何的导电层。

2.根据权利要求1所述的转接板，其特征在于，该第一孔洞的该口径大于该第二孔洞的该口径。

3.根据权利要求1所述的转接板，其特征在于，还包括一第二绝缘层，位于该导电层与该绝缘层之间。

4.根据权利要求3所述的转接板，其特征在于，该第二绝缘层位于该基底的该第一表面之上。

5.根据权利要求4所述的转接板，其特征在于，该第二绝缘层的一厚度大于该绝缘层的一厚度。

6.根据权利要求1所述的转接板，其特征在于，还包括一第二导电层，覆盖于该导电层的一表面之上。

7.根据权利要求6所述的转接板，其特征在于，还包括一第三绝缘层，覆盖于一部分的该导电层之上，其中该第二导电层覆盖于该导电层的另一部分之上。

8.根据权利要求6所述的转接板，其特征在于，该第二导电层覆盖该导电层的一侧边。

9.根据权利要求6所述的转接板，其特征在于，该第二导电层的一侧边与该导电层的一侧边大抵共平面。

10.根据权利要求6所述的转接板，其特征在于，该第二导电层的材质不同于该导电层的材质。

11.根据权利要求1所述的转接板，其特征在于，还包括一第三绝缘层，覆盖于部分的该导电层之上。

12.一种转接板的形成方法，其特征在于，包括：

提供一基底，该基底具有一第一表面及一第二表面；

自该基底的该第一表面移除部分的该基底以形成朝该第二表面延伸的一第一孔洞；

自该基底的该第一表面移除部分的该基底以形成朝该第二表面延伸的一第二孔洞，其中该第一孔洞的一口径不同于该第二孔洞的一口径；

于该基底上形成一绝缘层，其中该绝缘层延伸于该第一孔洞的一侧壁上及该第二孔洞的一侧壁上；以及

于该基底上的该绝缘层上形成一导电层，其中该导电层延伸进入该第一孔洞的该侧壁上，且该第二孔洞之中大抵不具有任何的导电层。

13.根据权利要求12所述的转接板的形成方法，其特征在于，该第一孔洞及该第二孔洞的形成步骤包括：

于该基底的该第一表面上形成一遮罩层，该遮罩层具有一第一开口及一第二开口，皆露出部分的该基底，其中该第一开口的口径不同于该第二开口的口径；

以该遮罩层为罩幕，蚀刻露出的该基底以形成该第一孔洞及该第二孔洞；以及

移除该遮罩层。

14.根据权利要求13所述的转接板的形成方法，其特征在于，还包括自该基底的该第二表面薄化该基底而使该第一孔洞及该第二孔洞露出。

15.根据权利要求12所述的转接板的形成方法，其特征在于，还包括于该导电层与该绝缘层之间形成一第二绝缘层。

16.根据权利要求12所述的转接板的形成方法，其特征在于，该导电层的形成步骤包括：

于基底的该第一表面上、该第二表面上、该第一孔洞的该侧壁上及该第二孔洞的该侧壁上形成一导电材料层；

于该导电材料层上形成一第二遮罩层，该第二遮罩层具有多个开口，露出部分的该导电材料层及该导电材料层位于该第二孔洞的该侧壁上的部分，且该第二遮罩层覆盖该第一孔洞；

以该第二遮罩为罩幕，蚀刻露出的该导电材料层以将该导电材料层图案化为该导电层；以及

移除该第二遮罩层。

17.根据权利要求16所述的转接板的形成方法，其特征在于，还包括于该导电层的表面上形成一第二导电层，其中该第二导电层覆盖该导电层的一侧边。