[发明专利]薄膜晶体管阵列及其线路结构

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列的线路结构，其特征在于，包括：

一图案化金属层；

一透明导电层，形成于该图案化金属层的顶面并与其接触；以及

一介电层，覆盖该图案化金属层以及该透明导电层并与其接触，该介电层具有一接触窗，该接触窗暴露出一部分的该透明导电层。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列的线路结构，其特征在于，其中该透明导电层与该图案化金属层具有相同的图案。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列的线路结构，其特征在于，其中该图案化金属层包括一栅极金属层或是一源极与漏极金属层。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列的线路结构，其特征在于，其中该图案化金属层为一金属迭层，该金属迭层中的一表层金属层与该透明导电层接触，且该表层金属层的材质包括钼、氮化钼、钨化钼、钛。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列的线路结构，其特征在于，其中该透明导电层的材料包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟镓锌氧化物。

6.一种薄膜晶体管阵列，其特征在于，包括：

一栅极金属层、一通道层以及一源极与漏极金属层，用以形成多个薄膜晶体管；

一像素电极层，包括多个像素电极，这些像素电极分别耦接至这些薄膜晶体管；

一透明导电层，贴附于该栅极金属层或该源极与漏极金属层的顶面；以及

一介电层，覆盖于该透明导电层以及相应的该栅极金属层或该源极与漏极金属层，该介电层具有一接触窗，且该接触窗暴露出一部分的该透明导电层。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，其中该透明导电层与其相应的该栅极金属层或该源极与漏极金属层具有相同的图案。

8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，其中该栅极金属层或该源极与漏极金属层为一金属迭层，该金属迭层中的一表层金属层与该透明导电层接触，且该表层金属层的材质包括钼、氮化钼、钨化钼、钛。

9.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，其中该透明导电层的材料包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟镓锌氧化物。