[发明专利]半导体装置制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，该半导体装置包括具有第一区域和第二区域的半导体基板以及布置在第一区域和第二区域上的绝缘体，该方法包括：

第一步骤，在绝缘体的第一部分中形成多个第一开口，其中，第一部分布置在第一区域上；

第二步骤，在第一步骤之后，在所述多个第一开口中的每个开口中和在绝缘体的第二部分上形成第一构件，其中，第二部分布置在第二区域上；

第三步骤，至少部分地去除第一构件的一部分，其中，所述第一构件的该部分布置在绝缘体的第二部分上；以及

第四步骤，在第三步骤之后，平面化第一区域上方的露出表面和第二区域上方的露出表面。

2.如权利要求1所述的方法，其中，在第一步骤中，所述多个第一开口不形成在绝缘体的第二部分中。

3.如权利要求1所述的方法，其中，在第一步骤中，多个第二开口以比所述多个第一开口的密度低的密度形成在绝缘体的第二部分中。

4.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在第三步骤和第四步骤之间，在第一构件上形成第二构件。

5.如权利要求4所述的方法，其中，在第四步骤中平面化的第一区域上方的露出表面和第二区域上方的露出表面中的每一个是第二构件的与半导体基板相反的一侧的表面。

6.如权利要求4所述的方法，进一步包括：

在第四步骤之后，去除第一构件的位于第二区域上的部分和第二构件的位于第二区域上的部分。

7.如权利要求4所述的方法，进一步包括：

在第四步骤之后，去除第二构件的位于第二区域上的部分。

8.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在第四步骤之后，在第一构件上形成第二构件。

9.如权利要求8所述的方法，进一步包括：

在第一构件上形成第二构件之后，去除第一构件的位于第二区域上的部分和第二构件的位于第二区域上的部分。

10.如权利要求4所述的方法，其中，所述第一构件和第二构件由相同材料制成。

11.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在第四步骤之后，去除第一构件的位于第二区域上的部分。

12.如权利要求1所述的方法，其中：

在第三步骤中，通过蚀刻部分地去除第一构件的位于第二区域上的部分，

在第三步骤之后，第一构件的位于第二区域上的部分被部分地留在绝缘体上。

13.如权利要求1所述的方法，其中，所述绝缘体由多个绝缘膜构成，并且所述多个第一开口穿透所述多个绝缘膜。

14.一种制造半导体装置的方法，该半导体装置包括半导体基板和绝缘体，所述半导体基板具有布置有多个光电转换部分的第一区域和布置有用于处理来自所述多个光电转换部分的信号的电路的第二区域，所述绝缘体布置在第一区域和第二区域上，该方法包括：

第一步骤，在绝缘体的第一部分中形成多个第一开口，使得所述多个第一开口分别与所述多个光电转换部分重叠；

第二步骤，在第一步骤之后，在所述多个第一开口中的每个开口中和在绝缘体的第二部分上形成第一构件，其中，第二部分布置在第二区域上；

第三步骤，至少部分地去除第一构件的一部分，其中，所述第一构件的该部分布置在绝缘体的第二部分上；以及

第四步骤，在第三步骤之后，平面化第一区域上方的露出表面和第二区域上方的露出表面。

15.如权利要求14所述的方法，进一步包括：在第三步骤和第四步骤之间，在第一构件上形成第二构件。

16.如权利要求15所述的方法，其中，第一区域上方的露出表面和第二区域上方的露出表面中的每一个是第二构件的与半导体基板相反的一侧的表面，这两个露出表面都在第四步骤中被平面化。

17.如权利要求15所述的制造半导体装置的方法，进一步包括：

在第四步骤之后，去除第一构件的位于第二区域上的部分和第二构件的位于第二区域上的部分。

18.如权利要求15所述的方法，进一步包括：

在第四步骤之后，去除第二构件的位于第二区域上的部分。