[发明专利]半导体装置制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体装置制造方法。

背景技术

关于作为一种类型的半导体装置的固态图像拾取装置，最近提出了一种包括光波导的固态图像拾取装置，以增加入射在光电转换部分上的光的量。

日本专利公开No.2010-103458公开了一种包括波导的固态图像拾取装置，所述波导由具有低折射率的覆层和具有高折射率并埋入由覆层包围的槽中的芯层构成。作为制造这种固态图像拾取装置的示例性方法，公开了一种在覆层的整个表面上形成芯层的方法，其中形成与光电转换部分对应的开口。

然而，日本专利公开No.2010-103458中公开的制造固态图像拾取装置的方法难以使该固态图像拾取装置更平坦。这导致图像质量的降低。另外，在除该固态图像拾取装置之外的半导体装置中，装置高度随着更高程度的集成而增加，并且在制造过程中减小装置高度的困难可能变为需要克服的问题。

发明内容

本发明的一个实施例提供了一种制造半导体装置的方法。该半导体装置包括具有第一区域和第二区域的半导体基板以及布置在第一区域和第二区域上的绝缘体。该方法包括：第一步骤，在绝缘体的第一部分中形成多个第一开口，其中，绝缘体的第一部分是其布置在第一区域上的部分。该方法包括：第二步骤，在第一步骤之后，在所述多个第一开口中的每个开口中和在绝缘体的第二部分上形成第一构件，其中，绝缘体的第二部分是其布置在第二区域上的部分。该方法包括：第三步骤，至少部分地去除第一构件的一部分，其中，所述第一构件的该部分是其布置在绝缘体的第二部分上的部分。该方法包括：第四步骤，在第三步骤之后，平面化第一区域上方的露出表面和第二区域上方的露出表面。

本发明的另一实施例提供了一种制造半导体装置的方法。该半导体装置包括具有布置有多个光电转换部分的第一区域和布置有用于处理来自所述多个光电转换部分的信号的电路的第二区域的半导体基板。该半导体装置包括布置在第一区域和第二区域上的绝缘体。该方法包括：第一步骤，在绝缘体的第一部分中形成多个第一开口，使得所述多个第一开口分别与所述多个光电转换部分重叠。该方法包括：第二步骤，在第一步骤之后，在所述多个第一开口中的每个开口中和在绝缘体的第二部分上形成第一构件，其中，绝缘体的第二部分是其布置在第二区域上的部分。该方法包括：第三步骤，至少部分地去除第一构件的一部分，其中，所述第一构件的该部分是其布置在绝缘体的第二部分上的部分。该方法包括：第四步骤，在第三步骤之后，平面化第一区域上方的露出表面和第二区域上方的露出表面。

通过下面参照附图对示例性实施例的描述，本发明的另外的特征将会变得清楚。

附图说明

图1A表示根据第一实施例制造固态图像拾取装置的方法。

图1B表示根据第一实施例制造固态图像拾取装置的方法。

图1C表示根据第一实施例制造固态图像拾取装置的方法。

图2A表示根据第一实施例制造固态图像拾取装置的方法。

图2B表示根据第一实施例制造固态图像拾取装置的方法。

图2C表示根据第一实施例制造固态图像拾取装置的方法。

图3是根据第一实施例的固态图像拾取装置的平面结构的示意图。

图4A表示根据第二实施例制造固态图像拾取装置的方法。

图4B表示根据第二实施例制造固态图像拾取装置的方法。

图4C表示根据第二实施例制造固态图像拾取装置的方法。

图5A表示根据第二实施例制造固态图像拾取装置的方法。

图5B表示根据第二实施例制造固态图像拾取装置的方法。

图5C表示根据第二实施例制造固态图像拾取装置的方法。

图6A表示根据第二实施例制造固态图像拾取装置的方法。

图6B表示根据第二实施例制造固态图像拾取装置的方法。

图6C表示根据第二实施例制造固态图像拾取装置的方法。

具体实施方式

本发明涉及半导体装置制造方法。更具体地讲，该制造方法能够应用于这样的构造：半导体基板上的绝缘体具有其中多个开口以第一密度布置的第一区域和其中多个开口以小于第一密度的第二密度布置的第二区域，第一区域中的所述多个开口被填充构件填充。第二密度可以是零。在这种构造中，填充构件的膜厚度仅在第二区域中被减小。