[发明专利]固态图像拾取装置、其制造方法和图像拾取系统

权利要求书

1.一种用于制造固态图像拾取装置的方法，所述固态图像拾取装置包括光电转换部分、第一绝缘膜、在所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜、以及波导，所述光电转换部分设置在半导体衬底中，所述第一绝缘膜用作所述光电转换部分之上的抗反射膜，所述第二绝缘膜与所述光电转换部分对应地设置，所述波导具有包层和芯，所述芯的底部设置在所述第二绝缘膜上，所述方法包括：

通过在设置在所述光电转换部分之上的部件被蚀刻得比所述第二绝缘膜快的条件下部分蚀刻所述部件来形成开口，从而形成所述包层，以及

在所述开口中形成所述芯。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一绝缘膜是多层抗反射膜。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一绝缘膜包括由氮化硅制成的绝缘层以及在所述由氮化硅制成的绝缘层上的由氧化硅制成的绝缘层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体衬底具有栅电极，所述栅电极传输所述光电转换部分的信号电荷，并且所述第一绝缘膜在从所述光电转换部分到所述栅电极的区域上延伸。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述芯和所述第二绝缘膜由相同的材料制成。

6.一种固态图像拾取装置，包括：

多个光电转换部分，所述多个光电转换部分设置在半导体衬底中；

所述光电转换部分之上的第一绝缘膜，所述第一绝缘膜用作抗反射膜；

所述第一绝缘膜上的多个第二绝缘膜，所述多个第二绝缘膜与所述光电转换部分对应地设置；和

多个波导，所述多个波导各自包括包层和芯，所述芯的底部与对应的第二绝缘膜接触，所述芯由与所述第二绝缘膜相同的材料制成。

7.根据权利要求6所述的固态图像拾取装置，其中，所述第二绝缘膜一一对应于各个所述光电转换部分。

8.根据权利要求6所述的固态图像拾取装置，还包括传输所述光电转换部分的信号电荷的多个栅电极，并且所述第一绝缘膜延伸以覆盖所述栅电极。

9.根据权利要求6所述的固态图像拾取装置，其中，所述第一绝缘膜包括由氮化硅制成的绝缘层以及在所述由氮化硅制成的绝缘层上的由氧化硅制成的绝缘层，并且所述第二绝缘膜由氮化硅制成。

10.根据权利要求8所述的固态图像拾取装置，其中，所述第二绝缘膜的上表面位置比所述栅电极的上表面更接近所述半导体衬底。

11.一种图像拾取系统，包括：

根据权利要求6所述的固态图像拾取装置；和

信号处理设备，所述信号处理设备处理来自所述固态图像拾取装置的电信号。