[发明专利]固态图像拾取装置、其制造方法和图像拾取系统

说明书

技术领域

本发明涉及一种固态图像拾取装置、包括该固态图像拾取装置的图像拾取系统和用于制造该固态图像拾取装置的方法。

背景技术

为了增加进入固态图像拾取装置的光电转换部分的光的量，最近提出了在固态图像拾取装置中使用波导。日本专利公开No.2006-191000公开了在包括波导的固态图像拾取装置中，用于形成波导的蚀刻停止膜兼当光接收部分之上的抗反射膜。

日本专利公开No.2008-041726公开了像素部分设有用于形成接触孔的蚀刻的蚀刻停止膜。

发明内容

本发明提供一种用于制造固态图像拾取装置的方法，所述固态图像拾取装置包括光电转换部分、第一绝缘膜、在第一绝缘膜上的第二绝缘膜、以及波导，所述光电转换部分设置在半导体衬底中，所述第一绝缘膜用作光电转换部分之上的抗反射膜，所述第二绝缘膜与光电转换部分对应地设置，所述波导具有包层(clad)和芯，所述芯的底部设置在第二绝缘膜上。所述方法包括通过在设置在光电转换部分之上的部件被蚀刻得比第二绝缘膜快的条件下部分蚀刻所述部件来形成开口，从而形成所述包层，并在所述开口中形成所述芯。

根据本发明的一方面的固态图像拾取装置包括设置在半导体衬底中的多个光电转换部分。第一绝缘膜设置在光电转换部分之上，并且用作抗反射膜。多个第二绝缘膜与光电转换部分对应地设置在第一绝缘膜上。每个第二绝缘膜用作蚀刻停止膜。所述固态图像拾取装置还包括多个波导，每个波导包括包层和芯，所述芯的底部与对应的第二绝缘膜接触。所述芯由与第二绝缘膜相同的材料制成。

从以下参照附图对示例性实施例的描述，本发明的进一步的特征将变得清晰。

附图说明

图1是第一实施例的固态图像拾取装置的像素单元的电路图。

图2是显示第一实施例的固态图像拾取装置的像素单元的平面图中的布局的表示。

图3A至图3C是用于制造第一实施例的固态图像拾取装置的方法的表示。

图4A至图4C是用于制造第一实施例的固态图像拾取装置的方法的表示。

图5A和图5B是用于制造第一实施例的固态图像拾取装置的方法的表示。

图6是第一实施例的固态图像拾取装置的示意性局部截面图。

图7是第一实施例的平面图中的布局的示意图。

图8A和图8B是显示第一实施例的修改的平面图中的布局的示意图。

图9是根据第二实施例的固态图像拾取装置的示意性截面图。

图10是固态图像拾取装置和图像拾取系统的框图。

图11A至图11D是用于制造根据第四实施例的固态图像拾取装置的方法的表示。

图12是根据第五实施例的固态图像拾取装置的示意性局部截面图。

图13A至图13C是用于制造第五实施例的固态图像拾取装置的方法的表示。

图14是根据第六实施例的固态图像拾取装置的示意性局部截面图。

图15A和图15B均是根据第七实施例的固态图像拾取装置的示意性局部截面图。

图16A至图16C是用于制造根据第八实施例的固态图像拾取装置的方法的示意图。

图17A至图17C是用于制造根据第八实施例的固态图像拾取装置的方法的示意性截面图。

图18A和图18B是用于制造根据第八实施例的固态图像拾取装置的方法的示意性截面图。

图19A和图19B是用于制造根据第八实施例的固态图像拾取装置的方法的示意性截面图。

图20A和图20B是第八实施例的固态图像拾取装置的示意性局部截面图。

图21是根据第九实施例的固态图像拾取装置的示意性截面图。

具体实施方式

在日本专利公开No.2006-191000中用于形成波导的蚀刻停止膜可被部分蚀刻，因此，可使蚀刻停止膜的厚度减小，或者膜可被蚀刻损伤。因此，可使充当抗反射膜的蚀刻停止膜的光学性能降低。

在日本专利公开No.2008-041726中，蚀刻停止膜不用于在除了像素部分之外的区域中进行用于形成接触孔的蚀刻。如果一些损伤在蚀刻期间发生，则噪声可发生，因此，降低图像质量。本发明解决这些问题中的至少一个。