[发明专利]非易失性存储器元件及其阵列

权利要求书

1.一种非易失性存储器元件，包括：

一第一电极；

一电阻结构，配置于该第一电极上，包括：

一第一氧化层，配置于该第一电极上；

一二极管结构，配置于该电阻结构上，包括：

一第一金属层，配置于该第一氧化层上；以及

一第二氧化层，配置于该第一金属层上；以及

一第二电极，配置于该二极管结构上，

其中该第一金属层与该第二电极选用不同材料。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器元件，其中该电阻结构更包括：

一第二金属层，配置于该第一氧化层上，其中该第一金属层配置于该第二金属层上。

3.如权利要求2所述的非易失性存储器元件，其中该第一金属层与该第二金属层选用不同材料。

4.如权利要求2所述的非易失性存储器元件，其中该第一金属层与该第二金属层选用相同材料。

5.如权利要求1所述的非易失性存储器元件，其中该第一氧化层作为该非易失性存储器元件的信息储存层，其材料选自下列氧化物其中之一：NiO、TiO₂、HfO、HfO₂、ZrO、ZrO₂、Ta₂O₅、ZnO、WO₃、CoO及Nb₂O₅，该第二氧化层的材料选自下列氧化物其中之一：NiO、TiO₂、HfO、HfO₂、ZrO、ZrO₂、Ta₂O₅、ZnO、WO₃、CoO及Nb₂O₅。

6.一种非易失性存储器阵列，包括：

一存储器单元阵列，包括多个非易失性存储器元件，各该非易失性存储器元件具有一第一端与一第二端，各该非易失性存储器元件包括一电阻结构以及一二极管结构，两者以层状堆栈的方式串联耦接在各该非易失性存储器元件的该第一端与该第二端之间；

多个位线，各该位线作为一第一电极，耦接至对应的该些非易失性存储器元件的该些第一端；以及

多个字线，各该字线作为一第二电极，耦接至对应的该些非易失性存储器元件的该些第二端，其中该些非易失性存储器元件配置于该些位线与该些字线的交错处，

其中对各该非易失性存储器元件而言，该电阻结构包括一第一氧化层，该第一氧化层配置于对应的该第一电极上；以及该二极管结构包括一第一金属层以及一第二氧化层，该第一金属层配置于该第一氧化层上，该第二氧化层配置于该第一金属层上，对应的该第二电极配置该第二氧化层上，其中该第一金属层与该第二电极选用不同材料。

7.如权利要求6所述的非易失性存储器阵列，其中对各该非易失性存储器元件而言，该电阻结构更包括一第二金属层，配置于该第一氧化层上，其中该第一金属层配置于该第二金属层上。

8.如权利要求7所述的非易失性存储器阵列，其中对各该非易失性存储器元件而言，该第一金属层与该第二金属层选用不同材料。

9.如权利要求7所述的非易失性存储器阵列，其中对各该非易失性存储器元件而言，该第一金属层与该第二金属层选用相同材料。

10.如权利要求6所述的非易失性存储器阵列，其中对各该非易失性存储器元件而言，该第一氧化层作为该非易失性存储器元件的信息储存层，其材料选自下列氧化物其中之一：NiO、TiO₂、HfO、HfO₂、ZrO、ZrO₂、Ta₂O₅、ZnO、WO₃、CoO及Nb₂O₅，该第二氧化层的材料选自下列氧化物其中之一：NiO、TiO₂、HfO、HfO₂、ZrO、ZrO₂、Ta₂O₅、ZnO、WO₃、CoO及Nb₂O₅。