[发明专利]化合物半导体装置及化合物半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201210028773.1 | 申请日： | 2012-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN102637734A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 伊籐裕规;岩渕昭夫;施欣宏 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张劲松 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 装置 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种化合物半导体装置，其特征在于，具备：
半导体衬底；
氮化物半导体层，其具有载流子渡越层和载流子供给层，且配置于所述半导体衬底上；
元件分离绝缘膜，其内部具有上端部位于所述载流子渡越层与所述载流子供给层的边界面的上方的空穴，并包围所述氮化物半导体层的周围而配置。
2.如权利要求1所述的化合物半导体装置，其特征在于，所述元件分离绝缘膜的上表面位于所述氮化物半导体层的上表面的上方。
3.如权利要求1或2所述的化合物半导体装置，其特征在于，所述元件分离绝缘膜的下表面与所述半导体衬底相接。
4.一种化合物半导体装置的制造方法，其特征在于，包含如下的步骤：
在半导体衬底上形成具有载流子渡越层和载流子供给层的氮化物半导体层；
沿厚度方向蚀刻除去所述氮化物半导体层的一部分，从而形成沟道；
以内部形成上端部位于所述载流子渡越层与所述载流子供给层的边界面的上方的空穴的方式，在所述沟道内形成元件分离绝缘膜。
5.如权利要求4所述的化合物半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述元件分离绝缘膜通过组合TEOS膜和绝缘膜而形成，所述绝缘膜由等离子体CVD法形成。
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